ST¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º(STMicroelectronics, ÀÌÇÏ ST)°¡ ÃֽŠSTripFET™ F7±â¼ú ±â¹Ý ÀÚµ¿Â÷ µî±Þ 40V MOSFET ½ÅÁ¦Ç° 2Á¾À» Ãâ½ÃÇß´Ù. ÀÌ MOSFETÀº Ź¿ùÇÑ ½ºÀ§Äª ¼º´É°ú ¿¡³ÊÁö È¿À²Àº ¹°·Ð ³ëÀÌÁî ¹æÃâÀÌ ³·°í ÅÏ¿Â(turn-on) ¿À·ùµµ Å« ÆøÀ¸·Î ÁÙÀÏ ¼ö ÀÖ´Ù. ÃÖ°í 120AÀÇ Àü·ù µî±ÞÀ» °®Ãá Á¦Ç°µé·Î °íÀü·ù ÆÄ¿öÆ®·¹ÀÎ, Â÷ü, ¼¨½Ã, ¾ÈÀü ½Ã½ºÅÛ°ú °°Àº ÁÖ¿ä ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡ ÀûÇÕÇÑ ÇÑÆí, °íÀ¯ÀÇ ½ºÀ§Äª Ư¼ºÀ» º¸¸é EPS(Electric Power Steering)¿Í °°Àº ¸ðÅÍ µå¶óÀ̺꿡µµ ÀÌ»óÀûÀÌ´Ù.
STÀÇ STripFET Á¦Ç°±ºÀº DeepGATE™ ±â¼úÀ» »ç¿ëÇÏ¿© ´ÙÀÌ ¸éÀû´ç ³·Àº ¿ÂÀúÇ×(RDS(on)) ¹× ³·Àº RDS(on) x °ÔÀÌÆ® ÀüÇÏ(Qg)¸¦ ´Þ¼ºÇÏ¿© ºñ½ÁÇÑ Àü·Â ÆÐÅ°Áö¿¡¼µµ Ź¿ùÇÑ ¿¡³ÊÁö È¿À²À» Á¦°øÇÑ´Ù. ³ôÀº ¾Ö¹ú·±Ä¡ ³»±¸¼º(Avalanche Ruggedness)µµ ÀÌ Á¦Ç°±ºÀÇ Å¹¿ùÇÑ ¼º´ÉÀ¸·Î ²ÅÀ» ¼ö ÀÖ´Ù.
STripFET F7Àº ½ºÀ§Äª ¼º´ÉÀ» Çâ»ó½ÃÅ°°í, ¹Ùµð-´ÙÀÌ¿ÀµåÀÇ ¿ªÈ¸º¹ ÀüÇÏ(Reverse-Recovery Charge; Qrr) ¹× ¿ªÈ¸º¹ ½Ã°£(Reverse-Recovery Time; trr)À» ÁÙÀÌ´Â ¹æ½ÄÀ¸·Î ¿¡³ÊÁö È¿À²¼ºÀ» ±Ø´ëÈÇÑ´Ù. ¶ÇÇÑ ¼ÒÇÁÆ® ȸº¹(Soft Recovery)À¸·Î EMI(Electromagnetic Interference)¸¦ ÃÖ¼ÒÈÇϱ⠶§¹®¿¡ ÇÊÅ͸µ ºÎÇ°ÀÇ Çʿ伺À» ÁÙ¿©ÁØ´Ù. ÃÖÀûÈµÈ µð¹ÙÀ̽º Ä¿ÆнÃÅϽº´Â ³ëÀÌÁî ¸é¿ª¼ºÀ» Çâ»ó½ÃÅ°°í ½º³Ê¹ö ȸ·ÎÀÇ Çʿ伺À» ÁÙ¿©ÁÖ¸ç ÀÓ°è-Àü¾Ð Á¶Á¤À¸·Î Àü¿ë °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö¸¦ »ç¿ëÇÏÁö ¾Ê°íµµ ¶Ù¾î³ ÅÏ¿Â ¿À·ù ¸é¿ª¼ºÀ» À¯ÁöÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ¸ðÅÍ µå¶óÀ̺ê¿Í °°Àº ºê¸®Áö ȸ·ÎÀÇ °æ¿ì, ¼ÒÇÁÆ® ´ÙÀÌ¿Àµå ȸº¹À» ÅëÇØ ½¸-½º·ç(shoot-through) Àü·ù¸¦ ¹æÁöÇÒ ¼ö ÀÖ¾î ¾ÈÁ¤¼ºÀÌ Çâ»óµÈ´Ù.
40V STL140N4F7AG ¹× STL190N4F7AG´Â ¿þÅͺí Ç÷©Å©(Wettable Flank) ÆÐÅ°ÁöÀÎ PowerFLAT 5x6 ÆÐÅ°Áö·Î AEC-Q101 ÀÎÁõÀ» ¹Þ¾Ò´Ù. ¼ÒÇü DzÇÁ¸°Æ®¿Í 0.8mmÀÇ ÇÁ·ÎÆÄÀÏÀº ³ôÀº ½Ã½ºÅÛ Àü·Â ¹Ðµµ¸¦ ±¸ÇöÇϸç, Ç÷©Å© ¼³°è´Â ¼Ö´õ¸µ-Á¢ÇÕ ¾ÈÁ¤¼º ¹× ¼ö¸í ¿¬Àå¿¡ µµ¿òÀ» ÁÙ»Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó 100% ÀÚµ¿ ±¤ÇÐ °Ë»ç¸¦ °¡´ÉÇÏ°Ô ÇÑ´Ù.
ÀÚµ¿Â÷ µî±ÞÀÇ Ç°Áú ÀÎÁõÀ» ¹ÞÀº 40V STripFET F7 MOSFETÀº ÇöÀç ¾ç»ê ÁßÀ̸ç, °¡°ÝÀº 1,000°³ ÁÖ¹® ½Ã STL140N4F7AG´Â 0.92 ´Þ·¯, STL190N4F7AG´Â 1.25´Þ·¯ÀÌ´Ù.
º¸´Ù ÀÚ¼¼ÇÑ Á¦Ç° Á¤º¸´Â www.st.com/stripfetf7¿¡¼ È®ÀÎÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. |