µµ½Ã¹Ù ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð µð¹ÙÀ̽º ¾Ø ½ºÅ丮Áö ÄÚÆÛ·¹À̼Ç(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, ÀÌÇÏ ‘µµ½Ã¹Ù’)ÀÌ À̽ÃÄ«¿ÍÇö¿¡ ÀÖ´Â ÁÖ¿ä ÀÌ»ê ¹ÝµµÃ¼ »ý»ê±âÁöÀÎ °¡°¡ µµ½Ã¹Ù ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð ÄÚÆÛ·¹À̼Ç(Kaga Toshiba Electronics Corporation)¿¡ Àü·Â ¹ÝµµÃ¼¿ë 300mm ¿þÀÌÆÛ Á¦Á¶ ½Ã¼³À» »õ·Î °Ç¼³ÇÑ´Ù°í 4ÀÏ ¹ßÇ¥Çß´Ù.
°Ç¼³Àº µÎ ´Ü°è·Î ÁøÇàµÇ´Âµ¥ ÅõÀÚ ¼Óµµ°¡ ½ÃÀå µ¿Çâ¿¡ ÃÖ´ëÇÑ ¸ÂÃâ ¼ö ÀÖµµ·Ï 2024 ȸ°è¿¬µµ¿¡ 1´Ü°è »ý»ê¿¡ Âø¼öÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù. 1´Ü°è°¡ Àü¸é °¡µ¿µÇ¸é µµ½Ã¹ÙÀÇ Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ »ý»ê ´É·ÂÀº 2021 ȸ°è¿¬µµ¿¡ ºñÇØ 2.5¹è Áõ°¡ÇÑ´Ù.
Àü·Â ¼ÒÀÚ´Â ¸ðµç ÀüÀÚ Àåºñ¿¡¼ ¼Òºñ Àü·ÂÀ» °ü¸®ÇÏ°í ÁÙÀÌ°í ź¼Ò Á߸³ »çȸ¸¦ ´Þ¼ºÇϴµ¥ ÇÊ¿äÇÑ ºÎÇ°ÀÌ´Ù. ÇöÀçÀÇ ¼ö¿ä´Â ÀúÀü¾Ð MOSFET(¸ð½ºÆê, ±Ý¼Ó»êȹ° ¹ÝµµÃ¼ Àü°èÈ¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ)°ú IGBT(Àý¿¬ °ÔÀÌÆ® ¾ç±Ø Æ®·£Áö½ºÅÍ) ¹× ±âŸ ÀåÄ¡¿¡ ´ëÇÑ ÅºÅºÇÑ ¼ö¿ä¿Í ´õºÒ¾î Â÷·® Àü±âÈ ¹× »ê¾÷¿ë ±â°è ÀÚµ¿È·Î È®´ëµÇ°í ÀÖ´Ù. µµ½Ã¹Ù´Â 200mm ¶óÀÎÀÇ »ý»ê ´É·ÂÀ» ´Ã¸®°í 300mm »ý»ê ¶óÀÎ °¡µ¿À» 2023 ȸ°è¿¬µµ »ó¹Ý±â¿¡¼ 2022³â ÇϹݱâ·Î ¾Õ´ç°Ü ÀÌ·± ¼ö¿ä Áõ°¡¿¡ ´ëóÇß´Ù. »õ·Î¿î ÆÕ(fab)ÀÇ Àüü »ý»ê¿ë·® ¹× Àåºñ ÅõÀÚ, »ý»ê °³½Ã, »ý»ê ´É·Â ¹× »ý»ê °èȹ¿¡ °üÇÑ °áÁ¤Àº ½ÃÀå µ¿ÇâÀ» ¹Ý¿µÇÑ´Ù.
½Å¼³ ÆÕÀº ³»ÁöÁø ±¸Á¶·Î Áö¾îÁö´Â µ¥ ÀÌÁß Àü¿ø°ø±Þ¼±À» Æ÷ÇÔÇØ °ÈµÈ BCP ½Ã½ºÅÛ, ȯ°æ ºÎ´ãÀ» ÁÙÀ̱â À§ÇÑ ÃֽŠ¿¡³ÊÁö Àý°¨ Á¦Á¶ ¼³ºñ µîÀ» °®Ãß°Ô µÈ´Ù. ¶Ç 100% Àç»ý¿¡³ÊÁö¿¡ ÀÇÁ¸ÇÏ´Â ‘RE100’ ´Þ¼ºÀ» ¸ñÇ¥·Î ÇÏ°í ÀΰøÁö´É ¹× ÀÚµ¿ ¿þÀÌÆÛ ÀÌ¼Û ½Ã½ºÅÛÀ» µµÀÔÇØ Á¦Ç° Ç°Áú°ú »ý»ê È¿À²¼ºÀ» °³¼±ÇÑ´Ù.
µµ½Ã¹Ù´Â ¾ÕÀ¸·Î Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ »ç¾÷À» È®´ëÇÏ´Â ÇÑÆí ºü¸£°Ô ´Ã¾î³ª´Â ¼ö¿ä¿¡ ´ëÀÀÇÏ°í Àú¿¡³ÊÁö »çȸ¿Í ź¼Ò Á߸³¿¡ ±â¿©ÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ½Ã±âÀûÀýÇÑ ÅõÀÚ¿Í ¿¬±¸·°³¹ßÀ» ÅëÇØ °æÀï·ÂÀ» ³ôÀÏ °èȹÀÌ´Ù. |