¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ(Nasdaq: ON)°¡ »õ·Î¿î ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(SiC) MOSFET µð¹ÙÀ̽º 2Á¾À» Ãâ½ÃÇß´Ù. ÀÏ¹Ý »ê¾÷¿ë NTHL080N120SC1 ¹× Â÷·®¿ë(AEC-Q101) NVHL080N120SC1Àº ¿ÍÀ̵å¹êµå°¸ ±â¼úÀÇ ±¤¹üÀ§ÇÑ ¼º´É ÀÌÁ¡À» Â÷·®¿ë DC/DC, Àü±âÂ÷ÀÇ ¿Âº¸µå ÃæÀü ½Ã½ºÅÛ, ž籤, ¹«Á¤Àü ¼¹ö Àü¿ø °ø±ÞÀåÄ¡(UPS)µî°ú °°Àº °í¼ºÀå ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç ºÐ¾ß¿¡ »ç¿ëµÈ´Ù.
¶ÇÇÑ, À̹ø ¹ßÇ¥¸¦ ÅëÇØ ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍÀÇ Æ÷°ýÀûÀÌ¸ç ±¤¹üÀ§ÇÑ SiC Á¦Ç°±ºÀÌ ÇÑÃþ °ÈµÆ´Ù. ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ´Â ¼³°è ¹× ½Ã½ºÅÛ ¿£Áö´Ï¾îµéÀÌ °íÁÖÆļö ȸ·Î °³¹ß ¹®Á¦¸¦ ÇØ°áÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï Áö¿øÇϱâ À§ÇØ SiC ´ÙÀÌ¿Àµå¿Í SiC µå¶óÀ̹ö¸¦ Æ÷ÇÔÇÑ µð¹ÙÀ̽º ½Ã¹Ä·¹ÀÌ¼Ç Åø, SPICE ¸ðµ¨, ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç Á¤º¸ µî Áß¿äÇÑ ¸®¼Ò½º¸¦ Á¦°øÇÑ´Ù.
¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍÀÇ 1200V, 80mΩ SiC MOSFETÀº ÃֽŠ°íÁÖÆļö ¼³°è ¿ä±¸»çÇ׿¡ ºÎÇÕÇÏ´Â °ß°íÇÑ Á¦Ç°ÀÌ´Ù. ³ôÀº Àü·Â ¹Ðµµ¿¡ °íÈ¿À² µ¿ÀÛÀ» °áÇÕÇØ ´õ¿í ¼ÒÇüÈµÈ µð¹ÙÀ̽º DzÇÁ¸°Æ®·Î ¿î¿µºñ¿Í Àüü ½Ã½ºÅÛ Å©±â¸¦ ´ëÆø ÁÙÀÏ ¼ö ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ, ÀÌ´Â ¿ °ü¸® Çʿ伺ÀÌ ÁÙ¾îµé¾î BOM(Bill of Materials) ºñ¿ë°ú Å©±â, Áß·®À» ´õ¿í ³·Ãâ ¼ö ÀÖ´Ù´Â ¶æÀ̱⵵ ÇÏ´Ù.
¾÷°è ÃÖ°í ¼öÁØÀÇ ³·Àº ´©¼³ Àü·ù, ³·Àº ¿ª ȸº¹ ÀüÇϸ¦ °®Ãá °í¼Ó ´ÙÀÌ¿Àµå´Â »õ·Î¿î µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ÁÖ¿ä Ư¡°ú °ü·Ã ¼³°è ÀÌÁ¡ Áß Çϳª´Ù. À̵éÀº ±Þ°ÝÇÑ Àü·Â ¼Õ½ÇÀ» °¨¼Ò½ÃÄÑÁÖ¸ç, °íÁÖÆļö ¿î¿µ ¹× Çâ»óµÈ Àü·Â ¹Ðµµ¸¦ Áö¿øÇÑ´Ù. ¶ÇÇÑ ³·Àº Eon ¹× Eoff¿Í ºü¸¥ ON/OFF´Â Àüü Àü·Â ¼Õ½ÇÀ» ÁÙ¿©ÁֹǷΠ³Ã°¢ ¿ä±¸»çÇ×µµ °¨¼ÒÇÑ´Ù. ³·Àº Ä¿ÆнÃÅϽº´Â ¸Å¿ì ³ôÀº ÁÖÆļö¿¡¼ ½ºÀ§ÄªÀ» °¡´ÉÇÏ°ÔÇÏ¿© ±î´Ù·Î¿î EMI ¹®Á¦¸¦ ÇؼÒÇÑ´Ù. ÇÑÆí, ³ôÀº ¼Áö(surge), Ç׺¹ Àü¾Ð(avalanche capability), ´Ü¶ô¿¡ ´ëÇÑ °ß°íÇÔÀº Àü¹ÝÀûÀÎ °¼±¼ºÀ» ³ô¿© ¾ÈÁ¤¼º°ú ÃÑ ±â´ë ¼ö¸íÀ» Çâ»ó½ÃŲ´Ù.
¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍÀÇ »õ·Î¿î SiC MOSFET µð¹ÙÀ̽º¸¸ÀÇ ¶Ç ´Ù¸¥ ÀÌÁ¡Àº ƯÇã Ãâ¿øµÈ Å͹̳×ÀÌ¼Ç ±¸Á¶·Î, ½Å·Ú¼º°ú °ß°íÇÔÀ» ³ô¿©ÁÖ¸ç ÀÛµ¿ ¾ÈÁ¤¼ºÀ» Çâ»ó½ÃŲ´Ù. NVHL080N120SC1Àº ³ôÀº ¼Áö Àü·ù¸¦ °ßµô ¼ö ÀÖµµ·Ï ¼³°èµÆÀ¸¸ç, ³ôÀº Ç׺¹ Àü¾Ð, ´Ü¶ô¿¡ ´ëÇÑ °ß°í¼ºÀ» Á¦°øÇÑ´Ù. AEC-Q101 ÀÎÁõÀ» ÅëÇÑ º» Á¦Ç°Àº Àº ÀüÀÚ Á¦Ç°ÀÇ »ç¿ëÀÌ ´Ã¾î³ª¸é¼ Áõ°¡ÇÏ´Â Â÷·® ³» ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡¼ ¿Ïº®È÷ È°¿ëµÉ ¼ö ÀÖÀ½À» º¸ÀåÇÑ´Ù. 175°C ÃÖ°í ÀÛµ¿ ¿Âµµ´Â Â÷·®¿ë ¼³°è¸¦ ºñ·ÔÇØ °í¹Ðµµ ¹× °ø°£Á¦¾àÀÌ ÁÖº¯ ¿Âµµ¸¦ ³ôÀÌ´Â ´Ù¸¥ Ÿ±ê ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡ »ç¿ëµÇ±â À§ÇÑ ÀûÇÕ¼ºÀ» Çâ»ó½ÃŲ´Ù.
¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ Àü·Â ¼Ö·ç¼Ç ±×·ì Àü·Â MOSFET »ç¾÷ºÎ ºÎ»çÀå °â ÃÑ°ýÀÎ °³¸® ½ºÆ®¶óÄ¿(Gary Straker)´Â »õ·Î¿î SiC MOSFET µð¹ÙÀ̽º Ãâ½Ã ¹× ¿ÍÀ̵å¹êµå°¸ Á¦Ç°±ºÀÇ Àü¹ÝÀû Çâ»ó¿¡ ´ëÇØ “°¡Àå Áß¿äÇÑ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǰú ÇöÀçÀÇ ¸Þ°¡ Æ®·»µå´Â ÀϹÝÀûÀÎ ½Ç¸®ÄÜ µð¹ÙÀ̽º ¼º´ÉÀ» ¶Ù¾î ³Ñ´Â ¼º´ÉÀ» ¿ä±¸ÇÏ°í ÀÖ´Ù. »õ·Î¿î MOSFET 2Á¾ Ãâ½Ã·Î ÇÑÃþ Çâ»óµÆÀ¸¸ç, Åø°ú ¸®¼Ò½º°¡ dzºÎÇÑ Áö¿øÀ» ¹Þ´Â ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍÀÇ Æ÷°ýÀû SiC Æ÷Æ®Æú¸®¿À´Â ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ°¡ ¿Ïº®ÇÑ ¿ÍÀ̵å¹êµå°¸ ºÎÇ° ¼Ö·ç¼ÇÀ» Á¦°øÇÒ ¼ö ÀÖÀ» »Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó, ¿£Áö´Ï¾îµéÀÌ °³¹ß ¹× µðÀÚÀÎ-ÀÎ(design-in) ÇÁ·Î¼¼½º¸¦ ÅëÇØ ±â´ë¿¡ ºÎÀÀÇÏ¸ç ºñ¿ë È¿À²ÀûÀÎ, Çâ»óµÈ ¼ö¸í°ú ½Å·Ú¼ºÀ» º¸ÀÌ´Â ¼Ö·ç¼ÇÀ» °³¹ßÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï Áö¿øÇÔÀ» ÀǹÌÇÑ´Ù”°í ¸»Çß´Ù.
¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍÀÇ SiC µð¹ÙÀ̽º¿Í ¼Ö·ç¼ÇÀº ¹Ì±¹ Ķ¸®Æ÷´Ï¾ÆÁÖ ¾Ö³ÊÇÏÀÓ(Anaheim)¿¡¼ ¿¸®´Â APEC 2019¿¡ Àü½ÃµÉ ¿¹Á¤À̸ç, ¿¬³» ¿ÍÀ̵å¹êµå°¸ µð¹ÙÀ̽º¸¦ Áö¼ÓÀûÀ¸·Î ¼±º¸ÀÏ °èȹÀÌ´Ù. |