ST¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º(STMicroelectronics, ÀÌÇÏ ST)°¡ »ê¾÷¿ë Àü¿ø°ø±ÞÀåÄ¡, ÈÞ´ë¿ë ±â±â ÃæÀü±â, AC/DC ¾î´ðÅÍ µî ½Ç¸®ÄÜ ¶Ç´Â GaN Æ®·£Áö½ºÅÍ·Î ±¸ÇöµÇ´Â ÄÁ¹öÅÍÀÇ ¼³°è¸¦ °£¼ÒÈÇÏ°í È¿À²¼ºÀ» Çâ»ó½ÃÅ°´Â SRK1004 µ¿±â½Ä Á¤·ù±â ÄÁÆ®·Ñ·¯¸¦ Ãâ½ÃÇß´Ù.
°¨Áö ÀԷ¿¡¼ ÃÖ´ë 190V±îÁö °ßµô ¼ö ÀÖ´Â SRK1004´Â ÇÏÀÌ»çÀÌµå ¶Ç´Â ·Î¿ì»çÀÌµå ±¸¼ºÀ¸·Î ¿¬°áÀÌ °¡´ÉÇÏ´Ù. »ç¿ëÀÚ´Â 4Á¾ÀÇ Á¦Ç° Áß 5.5V ¶Ç´Â 9V °ÔÀÌÆ® ±¸µ¿ Àü¾Ð µð¹ÙÀ̽º¸¦ ¼±Åø¸ Çصµ ·ÎÁ÷ ·¹º§ MOSFETÀ̳ª Ç¥ÁØ MOSFET, GaN Æ®·£Áö½ºÅ͸¦ »ç¿ëÇØ ¼³°è¸¦ ÃÖÀûÈÇÏ¸é¼ º¹ÀâÇÑ °è»êÀ» ÇÇÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. SRK1004´Â ºñ»óº¸Çü ´Éµ¿ Ŭ·¥ÇÁ¿Í °øÁøÇü ¹× À¯»ç°øÁøÇü(QR: Quasi-Resonant) ÇöóÀ̹é ÅäÆú·ÎÁö¿¡ ÀûÇÕÇϱ⠶§¹®¿¡, Â÷¼¼´ë ÅÏ¿ÀÇÁ ¾Ë°í¸®ÁòÀ» µµÀÔÇØ µ¿ÀÛÀ» °£¼ÒÈÇÏ°í ¿¡³ÊÁö¸¦ Àý°¨ÇØÁØ´Ù.
ÄÁÆ®·Ñ·¯ÀÇ ÀÌ·¯ÇÑ ±â´ÉÀ» ÅëÇØ ÄÁ¹öÅÍ´Â ÄÄÆÑÆ®ÇÑ Å©±â·Îµµ ³ôÀº Á¤°Ý Ãâ·Â ÆÄ¿ö¸¦ Á¦°øÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ÃÖ´ë 500kHz¿¡ À̸£´Â µ¿ÀÛ ÁÖÆļö·Î ¼ÒÇü ¸¶±×³×ƽ ºÎÇ°À» ÀÌ¿ëÇÒ ¼ö ÀÖÀ» »Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó, GaN Æ®·£Áö½ºÅÍ »ç¿ë ½Ã ¿ÍÀÌµå ¹êµå°¸(Wide-Bandgap) ±â¼úÀÇ ÀÌÁ¡À» ±Ø´ëÈÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ÀÌ ÄÁÆ®·Ñ·¯´Â STÀÇ SOI(Silicon-on-Insulator) °øÁ¤ ±â¼úÀÌ Àû¿ëµÅ ÃʼÒÇü 2mm x 2mm DFN-6L ÆÐÅ°Áö·Î °·ÂÇÑ ¼º´ÉÀ» º¸ÀåÇÑ´Ù.
SRK1004´Â 4V ~ 36V¿¡ À̸£´Â °ø±Þ Àü¾Ð ¹üÀ§¿¡¼ µ¿ÀÛÇϹǷΠ´Ù¾çÇÑ Ç¥ÁØ »ê¾÷¿ë ¹ö½º Àü¾Ð¿¡¼ Àü·ÂÀ» °ø±Þ¹ÞÀ» ¼ö ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ ÀÔ·Â Àü¾Ð ¹üÀ§°¡ ³Ð¾î À¯¿¬ÇÏ°Ô ½ºÅÜ-´Ù¿îºñ¸¦ Á¶Á¤ÇÏ¸é¼ ÃÖÀûÀÇ È¿À²À» ´Þ¼ºÇÑ´Ù. ÀÌ¿Ü¿¡µµ ÀÌ ÄÁÆ®·Ñ·¯´Â ºü¸£°Ô µ¿ÀÛÇÏ´Â ´Ü¶ô °¨Áö ±â´ÉÀÌ ³»ÀåµÅ °ß°íÇÏ°í ¾ÈÁ¤ÀûÀÎ Àåºñ¸¦ ±¸ÇöÇϵµ·Ï Áö¿øÇÑ´Ù.
Ãâ½ÃµÈ 4Á¾ÀÇ Á¦Ç° Áß SRK1004A ¹× SRK1004B´Â 5.5V °ÔÀÌÆ® ±¸µ¿ Àü¾ÐÀ¸·Î ±¸¼ºµÅ ÀÖÀ¸¸ç, ·ÎÁ÷ ·¹º§ MOSFETÀ̳ª GaN Æ®·£Áö½ºÅÍ¿Í ÇÔ²² »ç¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. 9V °ÔÀÌÆ® ±¸µ¿ Àü¾ÐÀ» Áö¿øÇÏ´Â SRK1004C ¹× SRK1004D´Â Ç¥ÁØ °ÔÀÌÆ® ±¸µ¿ ½ÅÈ£¿ëÀ¸·Î ¼³°èµÈ MOSFET¿¡ ÀûÇÕÇÏ´Ù.
SRK1004x µ¿±â½Ä Á¤·ù±â ÄÁÆ®·Ñ·¯ Á¦Ç°Àº ¸ðµÎ ÇöÀç »ý»ê ÁßÀ̸ç, °¡°ÝÀº 1,000°³ ±¸¸Å ½Ã 0.45´Þ·¯ÀÌ´Ù. Æò°¡ º¸µåÀÎ EVLSRK1004A, EVLSRK1004B, EVLSRK1004C, EVLSRK1004D´Â 50´Þ·¯ÀÇ ¿¹»ê°¡°ÝÀ¸·Î ÀÌ¿ëÇÒ ¼ö ÀÖÀ¸¸ç, °¢ À¯Çü¿¡ ´ëÇÑ ¼³°è ¹× Æò°¡¸¦ ½Å¼ÓÇÏ°Ô ¼öÇàÇÏ°Ô ÇØÁØ´Ù. |