¸ðµç °ÍÀÌ Àü±â·Î ÀÛµ¿ÇÏ°Ô µÇ¸é¼ ¿î¼Û, Àü·Â¸Á, ´ëÇü Â÷·®°ú °°Àº Áß-°íÀü¾Ð ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡¼µµ ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(SiC) ±â¼úÀÌ ±¤¹üÀ§ÇÏ°Ô Ã¤Åõǰí ÀÖ´Ù. ¸¶ÀÌÅ©·ÎÄÁÆ®·Ñ·¯, È¥ÇÕ ½ÅÈ£, ¾Æ³¯·Î±× ¹ÝµµÃ¼ ¹× Ç÷¡½Ã-IP ¼Ö·ç¼Ç ºÐ¾ßÀÇ ¼¼°èÀû ¸®´õÀÎ ¸¶ÀÌÅ©·ÎĨÅ×Å©³î·ÎÁö(¾Æ½Ã¾Æ ÃÑ°ý ¹× Çѱ¹´ëÇ¥: ÇѺ´µ·)´Â °³¹ßÀÚ°¡ SiC ¼Ö·ç¼Ç ±¸Çö°ú ÀÌ·¯ÇÑ °³¹ß ÇÁ·Î¼¼½º¸¦ ´ÜÃàÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï 3.3kV XIFM Ç÷¯±× ¾Ø Ç÷¹ÀÌ mSiC™ °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö¸¦ Ãâ½ÃÇß´Ù. ƯÇã ¹ÞÀº ¾î±×¸àƼµå ½ºÀ§Äª(Augmented Switching™) ±â¼úÀ» žÀçÇÑ ÀÌ °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö´Â Áï½Ã µ¿ÀÛÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ´Ù¾çÇÑ ¸ðµâ ¼³Á¤À» »çÀü¿¡ ±¸¼ºÇØ ¼³°è ¹× Æò°¡ ½Ã°£À» Å©°Ô ´ÜÃà½ÃŲ´Ù.
|
|
|
|
ÀÌ Ç÷¯±× ¾Ø Ç÷¹ÀÌ ¼Ö·ç¼ÇÀº ½ÃÀå¿¡ Ãâ½ÃµÇ±â±îÁöÀÇ ½Ã°£À» ´ÜÃàÇϱâ À§ÇØ °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö ȸ·ÎÀÇ ¼³°è, Å×½ºÆ® ¹× ÀÎÁõ µî º¹ÀâÇÑ °³¹ß ÀÛ¾÷À» ÀÌ¹Ì ¿Ï·áÇß´Ù. XIFM µðÁöÅÐ °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö´Â µðÁöÅÐ Á¦¾î, ÅëÇÕ Àü¿ø °ø±Þ ÀåÄ¡, ±×¸®°í ³ëÀÌÁî¿¡ ´ëÇÑ ³»¼ºÀ» Çâ»ó½ÃÅ°´Â °ß°íÇÑ ±¤¼¶À¯ ÀÎÅÍÆäÀ̽º¸¦ °®Ãá ÄÄÆÑÆ®ÇÑ ¼Ö·ç¼ÇÀÌ´Ù. ÀÌ °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö´Â ¸ðµâ ¼º´É ÃÖÀûȸ¦ À§ÇØ ¹Ì¸® ¸ÂÃãÇüÀ¸·Î ¼³Á¤µÈ ‘ÅÏ ¿Â/¿ÀÇÁ’ °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̺ê ÇÁ·ÎÆÄÀÏÀ» Á¦°øÇÑ´Ù.
ÀÌ °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö´Â ÁÖ º¯¾Ð±â(primary)¿Í º¸Á¶ º¯¾Ð±â(secondary) »çÀÌ¿¡ 10.2kVÀÇ °È Àý¿¬À» ÅëÇÕÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, ¿Âµµ ¹× DC ¸µÅ© ¸ð´ÏÅ͸µ, ÀúÀü¾Ð Â÷´Ü(UVLO: Undervoltage Lockout), °úÀü¾Ð Â÷´Ü(OVLO: Overvoltage Lockout), ´Ü¶ô/°úÀü·ù º¸È£(DESAT: Desaturation Protection) ¹× ºÎ ¿Âµµ °è¼ö(NTC: Negative Temperature Coefficient) µîÀÇ ¸ð´ÏÅ͸µ ¹× º¸È£ ±â´ÉÀ» °®Ãß°í ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ, ÀÌ °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö´Â öµµ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀÇ ÇÙ½É »ç¾çÀÎ EN 50155À» ÁؼöÇÏ°í ÀÖ´Ù.
¸¶ÀÌÅ©·ÎĨ ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀÌµå »ç¾÷ºÎ Ŭ·¹ÀÌÅÏ Çʸ®¿Â(Clayton Pillion) ºÎ»çÀåÀº “½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀÌµå ½ÃÀåÀÌ Áö¼ÓÀûÀ¸·Î ¼ºÀåÇÏ¸é¼ ´õ¿í ³ôÀº Àü¾Ð¿¡¼ ÀÛµ¿ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ±â¼úÀÌ ¿ä±¸µÇ°í ÀÖÀ¸¸ç, À̸¦ À§ÇØ ¸¶ÀÌÅ©·ÎĨÀº 3.3 kV Ç÷¯±× ¾Ø Ç÷¹ÀÌ mSiC °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö¿Í °°Àº ÅÏÅ° ¼Ö·ç¼ÇÀ» ÅëÇØ Àü·Â ½Ã½ºÅÛ °³¹ßÀÚµéÀÌ ¿ÍÀÌµå ¹êµå°¸ ±â¼úÀ» ´õ¿í ½±°Ô µµÀÔÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï Áö¿øÇÑ´Ù”¶ó¸ç “ÀÌ ¼Ö·ç¼ÇÀº ¸ðµç °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̺ê ȸ·Î°¡ ¹Ì¸® ¼³Á¤µÅ ÀÖ¾î ±âÁ¸ ¾Æ³¯·Î±× ¼Ö·ç¼Ç ´ëºñ ¼³°è Áֱ⸦ ÃÖ´ë 50%±îÁö ´ÜÃàÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù”¶ó°í ¸»Çß´Ù.
¸¶ÀÌÅ©·ÎĨÀº SiC µð¹ÙÀ̽º ¹× ÆÄ¿ö ¼Ö·ç¼ÇÀÇ °³¹ß, ¼³°è, Á¦Á¶, Áö¿ø ºÐ¾ß¿¡¼ ½×¾Æ¿Â20³â ÀÌ»óÀÇ °æÇèÀ» ¹ÙÅÁÀ¸·Î, °í°´µéÀÌ ½±°í, ºü¸£°í, ÀڽŠÀÖ°Ô SiC ±â¼úÀ» µµÀÔÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï Áö¿øÇÑ´Ù. ¸¶ÀÌÅ©·ÎĨÀÇ mSiC™ Á¦Ç°Àº Ç¥ÁØÇü, ¼öÁ¤Çü ¹× ¸ÂÃãÇüÀ¸·Î ¿É¼ÇÀ» ¼±ÅÃÇÒ ¼ö ÀÖ´ÂSiC MOSFET, ´ÙÀÌ¿Àµå ¹× °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö·Î ±¸¼ºµÇ¾î ÀÖ´Ù. ¸¶ÀÌÅ©·ÎĨÀÇ SiC Æ÷Æ®Æú¸®¿À¿¡ ´ëÇÑ ÀÚ¼¼ÇÑ ³»¿ëÀº ȨÆäÀÌÁö¿¡¼ È®ÀÎÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
3.3kV XIFM Ç÷¯±× ¾Ø Ç÷¹ÀÌ mSiC °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö´Â ÇöÀç ±¸¸Å °¡´ÉÇϸç, ÀÚ¼¼ÇÑ Á¤º¸´Â ¸¶ÀÌÅ©·ÎĨ ¿µ¾÷ ´ã´çÀÚ, Àü ¼¼°è °øÀÎ ´ë¸®Á¡¿¡ ¹®ÀÇÇϰųª ¸¶ÀÌÅ©·ÎĨÀÇ ±¸¸Å ¹× °í°´ ¼ºñ½º À¥»çÀÌÆ®¸¦ ¹æ¹®ÇÏ¸é µÈ´Ù. |