Çѱ¹ÀÇ ¹ÝµµÃ¼ Àü°øÁ¤ Àåºñ¾÷üÀÎ HPSP´Â °í¾Ð¾î´Ò¸µ°øÁ¤(High Pressure Annealing) ¹× °í¾Ð»êÈ°øÁ¤(High pressure Oxidation)¿¡ °üÇÑ ¿¬±¸ °³¹ßÀ» °ÈÇÒ °èȹÀÌ´Ù. ÀÌ¿Í º°µµ·Î ±¹³»¿¡ ½Å±Ô R&D ¼¾ÅÍ °³°üÀ» ÅëÇØ HPSP´Â HPA ¹× HPO ±â¼úÀ» ±âÁ¸ °øÁ¤ ÀÌ¿Ü¿¡ Ÿ °øÁ¤À¸·Î È®ÀåÇÒ ¼ö ÀÖ´Â »õ·Î¿î °øÁ¤±â¼ú °³¹ßÀ» ÃßÁøÇÒ °èȹÀÌ´Ù. ¶ÇÇÑ ¼±´Ü°øÁ¤¿¡¼ Çʼö °øÁ¤À¸·Î äÅõǰí ÀÖ´Â °í¾Ð¼ö¼Ò¾î´Ò¸µ °øÁ¤À» ±â¹ÝÀ¸·Î ´Ù¸¥ °¡½º¸¦ È°¿ëÇÑ HPA ¹× HPO¿¡ ´ëÇÑ ¿¬±¸µµ º»°ÝÀûÀ¸·Î ÁøÇàÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù.
|
|
|
¡ã ·ó ¹Ý µ§ È£ºê(LUC VAN DEN HOVE) imec »çÀå °â ´ëÇ¥(President & CEO)¿Í ±è¿ë¿î HPSP ´ëÇ¥À̻簡 10ÀÏ º§±â¿¡ ·çº¥ imec º»»ç¿¡¼ °í¾Ð¾î´Ò¸µ°øÁ¤(HPA) ¹× °í¾Ð»êÈ°øÁ¤(HPO)¿¡ ´ëÇÑ ¿¬±¸°³¹ßÀ» °ÈÇÏ´Â °øµ¿¿¬±¸°³¹ß ÇÁ·ÎÁ§Æ®(Joint Development Project) Çù¾àÀ» ü°áÇÑ ÀÌÈÄ ¾Ç¼ö¸¦ ÇÏ°í ÀÖ´Ù. (»çÁø= HPSP Á¦°ø) |
HPSP°¡ Àü ¼¼°è À¯ÀÏÇÏ°Ô °ø±ÞÇÏ°í ÀÖ´Â °í¾Ð¼ö¼Ò¾î´Ò¸µ Àåºñ´Â ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ °è¸éÀÇ °áÇÔÀ» Á¦°ÅÇÏ¿© Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ¼º´É ¹× ½Å·Ú¼ºÀ» Çâ»óÇÏ´Â ÀåºñÀÌ´Ù. ¹ÝµµÃ¼ ±â¼úÀÇ ¹ßÀü¿¡ µû¸¥ °íÁýÀûÈ, °íÀü·ÂÈ, °í¼ÓÈ¿¡ µû¶ó °ÔÀÌÆ®(Gate)¿¡¼ ³·Àº ´©¼³ Àü·ù°¡ ¿ä±¸µÇ¸ç ÀÌ·¯ÇÑ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ Æ¯¼º»ó °è¸éÀÇ ¾ÈÁ¤¼º È®º¸¿¡ ¸¹Àº ¿¬±¸°³¹ßÀÌ ÁøÇàµÇ°í ÀÖ¾î ¼ÒÀÚ °è¸éÀÇ ¹®Á¦Á¡ °³¼±À» À§ÇÑ ½ÃÀå ¼ö¿ä´Â °è¼ÓÇؼ È®ÀåµÇ°í ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ ±âÁ¸ÀÇ °í¿Â¾î´Ò¸µÀåºñ´Â 10nm ÀÌÇÏÀÇ ¼±´Ü°øÁ¤¿¡¼ »ç¿ëÀÌ Á¦ÇѵǴ µ¥ ¹ÝÇÏ¿© HPSP °í¾Ð¼ö¼Ò¾î´Ò¸µÀåºñ´Â »ó´ëÀûÀ¸·Î ³·Àº °øÁ¤¿Âµµ¿¡¼ °í¾Ð°ú °í³óµµÀÇ ¼ö¼Ò¸¦ È°¿ëÇÏ¿© ¾î´Ò¸µÀ» ÁøÇàÇϹǷΠÃÖ¼±´Ü°øÁ¤(2nm ÀÌÇÏ)±îÁö Àû¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
½Å±Ô °í¾Ð °øÁ¤ ÀåºñÀÇ °³¹ßÀ» ÃËÁøÇϱâ À§ÇØ HPSP´Â imec°ú ÇÔ²² °øµ¿¿¬±¸°³¹ß ÇÁ·ÎÁ§Æ®(Joint Development Project) Çù¾àÀ» ü°áÇß´Ù. °øµ¿¿¬±¸°³¹ß Çù¾à½ÄÀº Áö³ 1¿ù 10ÀÏ º§±â¿¡ ·çº¥¿¡ À§Ä¡ÇÑ imec º»»ç¿¡¼ ¿·ÈÀ¸¸ç, HPSP¿Í imec ÁÖ¿ä ÀÓ¿ø ¹× °ü°èÀÚµéÀÌ Âü¼®Çß´Ù. ±è¿ë¿î HPSP ´ëÇ¥ÀÌ»ç´Â "imecÀÇ ÃÖ÷´Ü ¿¬±¸ ÇÁ·Î±×·¥À» ÅëÇØ HPSPÀÇ °í¾Ð °øÁ¤ Àåºñ°¡ Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶ °øÁ¤¿¡ È®´ë Àû¿ëµÉ ¼ö ÀÖÀ» °ÍÀ¸·Î ±â´ëÇÑ´Ù"¶ó°í ¸»Çß´Ù.
HPSP´Â 2015³âºÎÅÍ imec°ú ÇÔ²² °í¾Ð¾î´Ò¸µ°øÁ¤À» ´Ù¾çÇÑ ¼ÒÀÚ¿¡ Àû¿ëÇÏ°í È¿°ú¸¦ °ËÁõÇÏ´Â ¿¬±¸¸¦ ÁøÇàÇÏ°í ÀÖ´Ù. °í¾Ð¾î´Ò¸µÀº imec ÇÙ½É ÆÄÆ®³Ê»çÀÇ ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶ °øÁ¤¿¡ ¼º°øÀûÀ¸·Î Àû¿ëµÆÀ¸¸ç, FinFET, GAA, °í¼º´É DRAM ¹× 3D NAND µî ´Ù¾çÇÑ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ ¼º´É Çâ»ó¿¡ Å©°Ô ±â¿©ÇÑ °ÍÀÌ ÀÔÁõµÇ¾ú´Ù.
HPSP´Â HPA¿Í HPO°¡ CFET, 3D ¸Þ¸ð¸® µð¹ÙÀ̽º µî ¹ÝµµÃ¼ ÷´Ü¼ÒÀÚ¿¡¼ ¹ÌÄ¡´Â ¿µÇâ¿¡ ´ëÇÑ ¼±Ç࿬±¸¸¦ ÁøÇàÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, HPA¿Í HPO¸¦ Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶°øÁ¤¿¡ Àû¿ëÇϱâ À§ÇØ °í°´ ¹× imec°ú Àû±ØÀûÀ¸·Î Çù·ÂÇØ »ç¾÷±âȸ¸¦ È®´ëÇØ ³ª°¥ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù. À̸¦ ÅëÇØ HPSP´Â ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶»çÀÇ Â÷¼¼´ë °øÁ¤ °³¹ß¿¡ Àû±ØÀûÀ¸·Î Âü¿©ÇØ ³ª°¥ °ÍÀÌ´Ù.
¶ÇÇÑ HPSP´Â ¼¼°è ÃÖ°í ¼öÁØÀÇ ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶»ç¸¦ ÆÄÆ®³Ê·Î µÎ°í ÀÖ´Â imec°úÀÇ °øµ¿¿¬±¸¸¦ ÅëÇØ ¾÷°è ÃÖ°íÀÇ ¹ÝµµÃ¼ Àåºñȸ»ç·Î¼ÀÇ ÁöÀ§¸¦ °ø°íÈ÷ ÇÏ°í, °í°´ÀÌ ½Å·ÚÇÒ ¼ö ÀÖ´Â Àåºñȸ»ç·Î¼ÀÇ À§»óÀ» ³ô¿© ³ª¾Æ°¥ °èȹÀÌ´Ù. ±Ã±ØÀûÀ¸·Î ¼¼°è ÃÖ°íÀÇ ¹ÝµµÃ¼ »ý»ê ±â¾÷µéÀÌ Á¦Ç°ÀÇ ¼º´É°ú ½Å·Ú¼ºÀ» ³ô¿© ÃÖ÷´Ü Á¦Ç°À» »ý»êÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï Áö¿øÇÒ ¹æħÀÌ´Ù. |