¿Â¼¼¹Ì(³ª½º´Ú: ON)´Â 9°¡Áö »õ·Î¿î ¿¤¸®Æ® ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(EliteSiC) Àü·Â ÅëÇÕ ¸ðµâ(PIM) Ãâ½Ã¸¦ ¹ßÇ¥Çß´Ù. ÀÌ´Â Àü±âÂ÷¿ë ÃÊ°í¼Ó DC ÃæÀü±â¿Í ¿¡³ÊÁö ÀúÀå ½Ã½ºÅÛ(ESS)À» À§ÇÑ ¾ç¹æÇâ ÃæÀü ±â´ÉÀ» Áö¿øÇÑ´Ù. SiC ±â¹Ý ¼Ö·ç¼ÇÀº ´õ¿í ³ôÀº È¿À²¼º°ú °£´ÜÇÑ ³Ã°¢ ¸ÞÄ¿´ÏÁòÀ» ÅëÇØ ½Ã½ºÅÛ ºñ¿ëÀ» ȹ±âÀûÀ¸·Î °³¼±Çϴµ¥, ±âÁ¸ ½Ç¸®ÄÜ ±â¹Ý IGBT ¼Ö·ç¼Ç¿¡ ºñÇØ Å©±â¸¦ ÃÖ´ë 40%, ¹«°Ô¸¦ ÃÖ´ë 52% ÁÙÀÏ ¼ö ÀÖ´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ Ç÷§ÆûÀ» ÅëÇØ ¼³°èÀÚ´Â ´Ü 15ºÐ ¸¸¿¡ Àü±âÂ÷ ¹èÅ͸®¸¦ ÃÖ´ë 80%±îÁö ÃæÀüÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ¾ÈÁ¤ÀûÀÌ°í È¿À²ÀûÀ̸ç È®Àå °¡´ÉÇÑ ÃÊ°í¼Ó DC ÃæÀü±â ³×Æ®¿öÅ©¸¦ ½Å¼ÓÇÏ°Ô ¹èÄ¡ÇÏ´Â µ¥ ÇÊ¿äÇÑ ¸ðµç ÇÙ½É ±¸¼º ¿ä¼Ò¸¦ °®°Ô µÈ´Ù.
|
|
|
|
J.D.ÆÄ¿ö(J.D. Power)ÀÇ 2023³â Àü±âÂ÷ °í·Á »çÇ× Á¶»ç¿¡ µû¸£¸é, ¹Ì±¹ ¼ÒºñÀÚÀÇ °ÅÀÇ Àý¹ÝÀÌ Àü±âÂ÷¸¦ ±¸¸ÅÇÏÁö ¾Ê´Â ÀÌÀ¯·Î ÃæÀü ½Ã¼³¿¡ ´ëÇÑ Á¢±Ù¼º°ú ºü¸¥ ÃæÀü ¼Óµµ¸¦ ¾ð±ÞÇÏ°í ÀÖ´Ù. ÀÌ´Â ±âÁ¸ ³»¿¬±â°ü(ICE) Â÷·®Ã³·³ ½±°í ¿øÈ°ÇÑ ÁÖÇà °æÇè º¸ÀåÀ» ´©¸± ¼ö ÀÖ´ÂÁö¿¡ °ü·ÃÇÑ °ÍÀÌ´Ù. ¹Ì±¹ÀÇ °æ¿ì, ¼ö¿ä¸¦ µû¶óÀâ°í ¿îÀüÀÚ°¡ °ø°ø ÃæÀü¼Ò¸¦ µ¿µîÇÏ°Ô ÀÌ¿ëÇϱâ À§ÇØ 2025³â±îÁö Àü±âÂ÷ ÃæÀü±âÀÇ °¡¿ë¼ºÀÌ 4¹è ÀÌ»ó, 2030³â Àü±îÁö´Â 8¹è ÀÌ»ó ´Ã¾î³ª¾ß ÇÑ´Ù.
°á°úÀûÀ¸·Î ÀÌ·¯ÇÑ ±Þ°ÝÇÑ Àü±â ¼ö¿ä Áõ°¡´Â ÇöÀçÀÇ Àü·Â¸Á¿¡ ¾öû³ ºÎ´ãÀ» ÁÖ¾î °úºÎÇϸ¦ ÀÏÀ¸Å³ ¼ö ÀÖ´Ù. ÀÌ ¹®Á¦¸¦ ¿ÏÈÇϱâ À§ÇØ ¾ç¹æÇâ ÃæÀüÀº Á¤±âÀûÀÎ ¹èÅ͸® ÃæÀü°ú ÇÔ²² ÇÊ¿äÇÒ ¶§ Àü±âÂ÷¸¦ ¿¡³ÊÁö ÀúÀå ½Ã½ºÅÛÀ¸·Î »ç¿ëÇÏ¿© °¡Á¤¿¡ Àü·ÂÀ» °ø±ÞÇÏ´Â ±â´ÉÀ» ¸ðµÎ °¡´ÉÇÏ°Ô ÇÏ´Â V2G(Â÷·®-Àü·Â¸Á ÅëÇÕ, vehicle-to-grid)À» ±¸ÇöÇϱâ À§ÇÑ ÇÙ½É ¼Ö·ç¼ÇÀ¸·Î ºÎ»óÇß´Ù.
ÇØ´ç ¼Ö·ç¼ÇÀº ÃÊ°í¼Ó DC ÃæÀü ³×Æ®¿öÅ©¿Í V2G Àü·Â Àü¼Û ½Ã½ºÅÛÀ» °¡´ÉÇÏ°Ô ÇÔÀ¸·Î½á, Â÷·®À» ÀÚÁÖ ÃæÀüÇϱâ À§Çؼ ¸î ½Ã°£ ¶Ç´Â ¸çÄ¥ÀÌ °É¸®´Â ´Ù¸¥ ¹æ¹ýº¸´Ù ´õ¿í ºü¸£°Ô ÀÌ·ç¾î Áú ¼ö ÀÖ¾î Á¢±Ù¼º°ú ¼Óµµ ¹®Á¦¸¦ ÇØ°áÇÑ´Ù.
¿Â¼¼¹Ì´Â ½ÃÀåÀÇ ÁÖ¿ä ÅäÆú·ÎÁö¸¦ ±¸¼ºÇÒ ¼ö ÀÖ´Â °¡Àå Æ÷°ýÀûÀÎ PIM Æ÷Æ®Æú¸®¿À¸¦ Á¦°øÇÑ´Ù. À̸¦ ÅëÇØ ¼³°èÀÚ´Â ÃÊ°í¼Ó DC ÃæÀü ¶Ç´Â ¿¡³ÊÁö ÀúÀå ½Ã½ºÅÛ(ESS) ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀÇ Àü·Â º¯È¯ ´Ü°è¿¡ ÀûÇÕÇÑ PIMÀ» ¼±ÅÃÇÒ ¼ö ÀÖ´Â À¯¿¬¼ºÀ» Á¦°øÇÏ°Ô µÈ´Ù. ¼³°è Áֱ⸦ °¡¼ÓÈÇϱâ À§ÇØ ¿Â¼¼¹Ì´Â ¼¿ÇÁ ¼ºñ½º PLECS(piecewise linear electrical circuit simulation) ¸ðµ¨ »ý¼º±â¸¦ ÅëÇÑ °í±Þ PLECS ¸ðµ¨°ú ÀÌ Æ÷Æ®Æú¸®¿ÀÀÇ ¿¤¸®Æ® Àü·Â ½Ã¹Ä·¹ÀÌÅ͸¦ »ç¿ëÇÑ ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç ½Ã¹Ä·¹À̼ǵµ ¼³°èÀÚ¿¡°Ô Á¦°øÇÑ´Ù.
°¢ ¸ðµâ¿¡ ´ëÇØ ¿Â¼¼¹Ì´Â ´õ ÀÏ°üµÈ ½Å·Ú¼ºÀ» º¸ÀåÇϱâ À§ÇØ µ¿ÀÏÇÑ ¿þÀÌÆÛÀÇ ´ÙÀ̸¦ »ç¿ëÇÏ°í ÀÖÀ¸¹Ç·Î ¼³°èÀÚ´Â ¼·Î ´Ù¸¥ °ø±Þ¾÷üÀÇ µð½ºÅ©¸´ ¼ÒÀÚ¸¦ »ç¿ëÇÒ ¶§ ¹ß»ýÇÒ ¼ö ÀÖ´Â µ¿ÀÏ ÇÑ ½Ã½ºÅÛ ³»¿¡¼ °¢°¢ ´Ù¸¥ ¼º´ÉÀ» ¾ò´Â ¹®Á¦¸¦ ¹æÁöÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ ¸ðµâ Æ÷Æ®Æú¸®¿À´Â ½Å·Ú¼º ¿Ü¿¡µµ ´ÙÀ½°ú °°Àº ÀÌÁ¡À» Á¦°øÇÑ´Ù.
• ¾÷°è¿¡¼ °¡Àå ³·Àº ½ºÀ§Äª ¼Õ½Ç°ú °¡Àå ³ôÀº È¿À²À» Á¦°øÇÏ´Â 3¼¼´ë M3S SiC MOSFET ±â¼ú »ç¿ë
• ´ÙÁß ·¹º§ TÇü TNPC(T-type neutral point clamp), ÇÏÇÁ ºê¸®Áö, Ç® ºê¸®Áö ÅäÆú·ÎÁö¿Í °°Àº ÁÖ¿ä ÅäÆú·ÎÁö Áö¿ø
• 25kW¿¡¼ 100kW±îÁö È®Àå °¡´ÉÇÑ Ãâ·Â Àü·ÂÀ» Áö¿øÇÏ¿© ¾ç¹æÇâ ÃæÀüÀ» Æ÷ÇÔÇÑ ´ÙÁß ÃÊ°í¼Ó DC ÃæÀü°ú ¿¡³ÊÁö ÀúÀå ½Ã½ºÅÛ(ESS) Ç÷§Æû Áö¿ø
• TIM(Thermal Interface Material)ÀÌ Àû¿ëµÇ¾î ÀÖ°í ÇÁ·¹½ºÇÍ ¿É¼ÇÀÌ Æ÷ÇÔµÈ ¾÷°è Ç¥ÁØ F1°ú F2 ÆÐÅ°Áö
• °ú¿·Î ÀÎÇÑ ½Ã½ºÅÛ Àå¾Ö¸¦ ¹æÁöÇÏ¿© ÃÖÀûÀÇ ¿ °ü¸® °¡´É
• Àü·Â ¼Õ½ÇÀ» ÃÖ¼ÒÈÇÏ¿© ¿¡³ÊÁö Àý°¨À» Á¦°øÇÏ°í ºñ¿ë, ¿¡³ÊÁö Àý¾à°ú Á÷°áµÇ´Â SiC·Î¸¸ Àüü°¡ ±¸¼ºµÈ ¸ðµâ
• °ß°í¼º°ú ½Å·Ú¼ºÀ» ³ô¿© ÀÏ°üµÈ ÀÛµ¿ º¸Àå |