¿Â¼¼¹Ì´Â ¹Ì±¹ ´º¿å¿¡¼ ‘Áö¼Ó °¡´ÉÇÑ »ýÅ°踦 ÇâÇÑ ¿©Á¤ÀÇ °¡¼ÓÈ’¶ó´Â ÁÖÁ¦·Î ¾Ö³Î¸®½ºÆ® µ¥ÀÌ(Analyst Day)¸¦ °³ÃÖÇß´Ù°í ¹àÇû´Ù. ¿Â¼¼¹Ì´Â Áö³ 2³â°£ÀÇ Çõ½ÅÀ» ÅëÇØ ¾î¶»°Ô ¾÷°è ÃÖ°íÀÇ ¼º°ú¸¦ ´Þ¼ºÇß´ÂÁö¿Í 2027³â±îÁö ¼ºÀå °¡¼Óȸ¦ À§ÇÑ Àü·«Àû °èȹÀ» °ø°³Çß´Ù. À̹ø Çà»ç´Â ¿ù½ºÆ®¸®Æ®ÀÇ ¿¹»óÀ» ¶Ù¾î³ÑÀº ¿Â¼¼¹ÌÀÇ 1ºÐ±â ½ÇÀû ¹ßÇ¥¿¡ À̾î ÁøÇàµÆ´Ù.
¿Â¼¼¹Ì´Â ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(SiC), ½Ç¸®ÄÜ ÆÄ¿ö(IGBT, FET) ¹× ÆÄ¿ö IC, ÀÚµ¿Â÷ ¹× »ê¾÷ ºÎ¹®À» À§ÇÑ Áö´ÉÇü ¼¾½Ì¿¡ ÁßÁ¡À» µÐ Áö´ÉÇü Àü·ÂÀÇ ÇÁ¸®¹Ì¾ö »ç¾÷À» µÎ ¹è·Î È®´ëÇÏ°í ÀÖ´Ù. ¿Â¼¼¹ÌÀÇ °¡¼ÓÈµÈ À繫 ¸ðµ¨¿¡ µû¸£¸é 2022³âºÎÅÍ 2027³â±îÁö CAGR 10~12%ÀÇ ¸ÅÃâ ¼ºÀåÀÌ ¿¹»óµÇ¸ç ÀÌ´Â ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå ¼ºÀåÀÇ 3¹è¿¡ ´ÞÇÒ °ÍÀÌ´Ù. ¶ÇÇÑ ½ÅÁ¦Ç°°ú ÀÌÀÍÀÌ Áõ°¡ÇÏ´Â SiC ·¥ÇÁ¿¡ ÁýÁßÇÏ¿© 2027³â ÃÑ ÀÌÀÍ ¸ñÇ¥´Â 53%¿¡ À̸¦ °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁÇÑ´Ù. ¿Â¼¼¹Ì´Â À¯¿¬ÇÏ°í ³·Àº °íÁ¤ ºñ¿ëÀÇ Á¦Á¶ °ø°£À» âÃâÇÑ ÆÕ ¸®ÅÍ(Fab Liter) Àü·«¿¡¼ È¿À²¼º°ú µ¿±Þ ÃÖ°íÀÇ ÅõÇÏÀÚº»¼öÀÍ·ü(ROIC)À» À§ÇØ ÀÚ»ê °ø°£À» ÃÖÀûÈÇÏ´Â ÆÕ ¶óÀÌÆ®(Fab Right) Àü·«À¸·Î ÀüȯÇÏ°í ÀÖ´Ù.
¿Â¼¼¹Ì CEOÀÎ Hassane El-Khoury´Â "ÇöÀç ºÒÈ®½ÇÇÑ ½ÃÀå »óȲ¿¡µµ ºÒ±¸ÇÏ°í ¿Â¼¼¹Ì´Â Áö¼Ó °¡´ÉÇÑ »ýÅ°踦 Áö¿øÇϱâ À§ÇØ ÁÖ¿ä ½ÃÀåÀÎ ÀÚµ¿Â÷ ¹× »ê¾÷ ºÐ¾ßÀÇ ¸Þ°¡Æ®·»µå¿¡ ÁýÁßÇÏ¿© °è¼ÓÇؼ ±â´ëÄ¡¸¦ ¶Ù¾î³Ñ°í ¼ºÀåÀ» °¡¼ÓÈÇÏ°í ÀÖ´Ù. ¸¹Àº °í°´ Æò°¡¿¡¼ ¾Ë ¼ö ÀÖµí, ¿Â¼¼¹Ì ¿¤¸®Æ® ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(EliteSiC) ±â¼úÀ» ÅëÇØ ³ÝÁ¦·ÎÀÇ ¿©Á¤¿¡¼ Áß¿äÇÑ ¿ä¼ÒÀÎ SiC ºÐ¾ß¿¡¼ÀÇ ¸®´õ½ÊÀ» Áö¼ÓÀûÀ¸·Î ±¸ÃàÇÏ°í ÀÖ´Ù. ´õ ³ôÀº È¿À²¼º, ¼º´É ¹× Áö¼Ó °¡´É¼ºÀ» ´Þ¼ºÇÒ ¼ö ÀÖ°Ô ÇØÁØ Á÷¿øµéÀÇ Çå½Å°ú Àγ»½É¿¡ °¨»ç¸¦ Ç¥ÇÏ°í ½Í´Ù"°í ¸»Çß´Ù.
¿Â¼¼¹Ì´Â ÀÚµ¿Â÷ ¹× ¿¡³ÊÁö ºÐ¾ß¿¡¼ÀÇ ÃֽŠ¹ßÇ¥ »çÇ×µéÀ» °Á¶Çϸç, ÁÖ¿ä ºÐ¾ß¿¡¼ ÀÔÁö¸¦ °ÈÇÏ´Â ¹æ¹ý¿¡ ´ëÇÑ ÀλçÀÌÆ®¸¦ Á¦°øÇß´Ù. ¿Â¼¼¹Ì´Â Â÷·® Àü±âÈ, ADAS, ¿¡³ÊÁö ÀúÀå ¹× ÃæÀü, ÀÚÀ²ÁÖÇà ·Îº¿ ¹× ¸Ó½Å ºñÀüÀ» À§ÇÑ ÇÙ½ÉÀûÀÎ ºÎÇ°À» Á¦°øÇÏ¸é¼ Áö¼Ó °¡´ÉÇÑ »ýÅ°踦 À§ÇÑ ¼Ö·ç¼Ç °³¹ß¿¡ Àü³äÇÏ°í ÀÖ´Ù.
¿Â¼¼¹Ì°¡ °Á¶ÇÏ´Â ÁÖ¿ä ³»¿ë Áß ÀϺδ ´ÙÀ½°ú °°´Ù.
• DC ±Þ¼Ó ÃæÀü ¼Ö·ç¼ÇÀ» À§ÇÑ °í±Þ SiC MOSFET ¹× ´ÙÀÌ¿Àµå¸¦ Á¦°øÇϱâ À§ÇØ ÄÍÆÄ¿ö(Kempower)¿Í »õ·Î¿î Àü·«Àû Çù·Â ü°á
• ½Ã´É Àü±â(Sineng Electric)ÀÌ À¯Æ¿¸®Æ¼ ±Ô¸ðÀÇ Å¾籤 ÀιöÅÍ¿Í ¾÷°è ÃÖÃÊÀÇ 200kW ¿¡³ÊÁö ÀúÀå ½Ã½ºÅÛ¿¡ ¿Â¼¼¹Ì EliteSiC MOSFET ¹× IGBT ±â¹Ý °í¹Ðµµ Àü·Â ÅëÇÕ ¸ðµâ ÅëÇÕ ¹ßÇ¥
• 10¾ï ¹ø° À¯µµ ¼¾¼ ÀÎÅÍÆäÀ̽º IC(Inductive Sensor Interface Integrated Circuit)¸¦ ¾öºê·¼·¯ ºê·£µåÀÎ Æ÷ºñ¾Æ(FORVIA) »êÇÏÀÇ ¼¼°èÀûÀÎ ÀÚµ¿Â÷ °ø±Þ¾÷üÀÎ Çï¶ó(HELLA)¿¡ ÃâÇÏ
• ½º¸¶Æ® Àü±âÂ÷(EV)ÀÇ ÆÄ¿öÆ®·¹ÀÎ È¿À²À» ³ôÀ̱â À§ÇØ SiC Àü·Â µð¹ÙÀ̽º °ø±ÞÀ» À§ÇÑ ÇÁ¸®¹Ì¾ö Àü±â ¸ðºô¸®Æ¼ ºê·£µå ÁöÄ¿(ZEEKR)¿Í »õ·Î¿î Àå±â °ø±Þ °è¾à(LTSA) ü°á
• ÷´Ü ¿îÀüÀÚ Áö¿ø ½Ã½ºÅÛ(ADAS) ¹× ÀÚÀ²ÁÖÇà(AD) ¼Ö·ç¼Ç °³¹ß¿¡ Áß¿äÇÑ ¿ä¼Ò¸¦ Á¦°øÇÏ´Â ÇÏÀÌÆ۷轺(Hyperlux) À̹ÌÁö ¼¾¼ Á¦Ç°±º Ãâ½Ã
• »ê¾÷¿ë ¹× ÀÚµ¿Â÷ ÀÎÁõÀ» ¹ÞÀº ÃֽŠ¼¼´ëÀÇ M3S EliteSiC MOSFET ¹× ¸ðµâ Ãâ½Ã
• ±Û·Î¹ú ÀÚµ¿Â÷ ¼±µÎÁÖÀÚÀÎ Çö´ëÀÚµ¿Â÷±×·ìÀ¸·ÎºÎÅÍ 2022³â ¿ÃÇØÀÇ Çù·Â»ç·Î ¼±Á¤
±Û·Î¹ú °í°´ ¹ßÇ¥ ¿Ü¿¡µµ ¿Â¼¼¹Ì´Â Ææ½Çº£ÀÌ´Ï¾Æ ÁÖ¸³´ëÇб³(Penn State University)¿Í SiC °áÁ¤ ¼ºÀå¿¡ ÁýÁßÇÏ´Â Ä·ÆÛ½º ¿¬±¸ ¼¾ÅÍ ¼³¸³°ú ¹è·±½º(Barron’s)ÀÇ Áö¼Ó °¡´ÉÇÑ 100´ë ¹Ì±¹ ±â¾÷¿¡ 6³â ¿¬¼Ó ¼±Á¤À» ÀÚÃàÇß´Ù. ¶ÇÇÑ, ¿¤¸®Æ® ÆÄ¿ö ½Ã¹Ä·¹ÀÌÅÍ(Elite Power Simulator) Ãâ½Ã, BMW AG, Æø½º¹Ù°Õ ±×·ì(VW Group), HMC/KIA, ¸Þ¸£¼¼µ¥½º-º¥Ã÷(Mercedes-Benz)¿ÍÀÇ °è¾à µî ÃÖ±ÙÀÇ ÁÖ¿ä ¹ßÇ¥µµ ¾ð±ÞÇß´Ù. |