NXP ¹ÝµµÃ¼´Â Àü±âÂ÷ ºÐ¾ß¿¡¼ źȱԼÒ(SiC) ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼ ¸ðµâÀÇ Ã¤ÅÃÀ» °¡¼ÓÈÇϱâ À§ÇØ È÷Ÿġ ¿¡³ÊÁö¿Í Çù·ÂÇÑ´Ù°í ¹ßÇ¥Çß´Ù. ÀÌ ÇÁ·ÎÁ§Æ®´Â NXPÀÇ °í±Þ °í¼º´É GD3160 Àý¿¬ HV °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö¿Í È÷Ÿġ ¿¡³ÊÁöÀÇ ·ÎµåÆÑ(RoadPak) ÀÚµ¿Â÷ SiC MOSFET ÆÄ¿ö ¸ðµâ·Î ±¸¼ºµÈ ÆÄ¿öÆ®·¹ÀÎ ÀιöÅ͸¦ À§ÇÑ º¸´Ù È¿À²ÀûÀÌ°í ¾ÈÁ¤ÀûÀÌ¸ç ±â´ÉÀûÀ¸·Î ¾ÈÀüÇÑ SiC MOSFET ±â¹Ý ¼Ö·ç¼ÇÀ» Á¦°øÇÏ´Â °ÍÀ» ¸ñÇ¥·Î ÇÑ´Ù.
È÷Ÿġ ¿¡³ÊÁöÀÇ °í¼º´É ÀÚµ¿Â÷ ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼ ¸ðµâ ·ÎµåÆÑ(RoadPak)Àº ¿ì¼öÇÑ ¹æ¿, ÀúÀ¯µµ ÀδöÅϽº(low stray inductances), Àå±âÀûÀÎ ³»±¸¼ºÀ» Á¦°øÇØ ±î´Ù·Î¿î ÀÚµ¿Â÷ ȯ°æ¿¡ °ßµô ¼ö ÀÖµµ·Ï Áö¿øÇϸç, SiC MOSFETÀÇ ¸ðµç ±â´É°ú ÀåÁ¡À» È°¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ÇÙ½É ¿ä¼ÒÀÌ´Ù. ÃÖÀûÀÇ ¼º´ÉÀ» À§ÇØ ÆÄ¿ö ¸ðµâÀº NXPÀÇ GD3160 °íÀü¾Ð Àý¿¬ °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö¿Í Æä¾î¸µµÇ¾î ºü¸£°í ¾ÈÁ¤ÀûÀÎ ½ºÀ§Äª°ú ¿À·ù º¸È£(fault protection)¸¦ Áö¿øÇÑ´Ù.
NXPÀÇ µå¶óÀ̹ö ¹× ¿¡³ÊÁö ½Ã½ºÅÛ Á¦Ç° ¶óÀÎ ÃÑ°ý Ã¥ÀÓÀÚÀÌÀÚ ºÎ»çÀå ·Î¹öÆ® ¸®(Robert Li)´Â “È÷Ÿġ ¿¡³ÊÁö¿ÍÀÇ Çù·ÂÀ» ÅëÇØ Àü±âÂ÷¸¦ À§ÇÑ SiC MOSFETÀÇ È¿À²¼º°ú ¹üÀ§ÀÇ ÀÌÁ¡À» °Á¶ÇÒ ¼ö ÀÖ°Ô µÆ´Ù. GD3160À» È÷Ÿġ ¿¡³ÊÁöÀÇ ·ÎµåÆÑ SiC ¸ðµâ°ú °áÇÕÇÔÀ¸·Î½á Æ®·¢¼Ç ÀιöÅÍ¿¡ »ç¿ëµÇ´Â SiC MOSFETÀÇ Æò°¡¿¡¼ ¼º´É ÃÖÀûȱîÁöÀÇ Àüȯ ½Ã°£À» ´ÜÃàÇÏ´Â ¼Ö·ç¼ÇÀ» Á¦°øÇß´Ù"°í ¸»Çß´Ù.
È÷Ÿġ ¿¡³ÊÁö´Â »ê¾÷ ¹× ¿î¼Û ºÎ¹®¿¡¼ ½×Àº ±â¼ú°ú °æÇèÀ» ±â¹ÝÀ¸·Î Àü±âÂ÷ ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç¿ë °í¹Ðµµ ·ÎµåÆÑ ÀÚµ¿Â÷ SiC ÆÄ¿ö ¸ðµâÀ» °³¹ßÇÏ°í ÀÖ´Ù. ·ÎµåÆÑ ÇÏÇÁ ºê¸®Áö ÆÄ¿ö ¸ðµâÀº 1200V SiC MOSFET, ÅëÇÕ ³Ã°¢ ÇÉ ÇÉ(pin-fins), ³·Àº ÀδöÅϽº ¿¬°áÀ» ¸ðµÎ ¼ÒÇü ÆûÆÑÅÍ¿¡ ÅëÇÕÇÑ´Ù. ÀÌ´Â Àü±â¹ö½º¿Í Àü±âÂ÷ºÎÅÍ °í¼º´É Æ÷¹Ä·¯ E(Formula-E) °æÁÖ¿ë Â÷¿¡ À̸£±â±îÁö ´Ù¾çÇÑ °÷¿¡¼ Àû¿ëµÉ ¼ö ÀÖ´Ù.
È÷Ÿġ ¿¡³ÊÁöÀÇ ¹ÝµµÃ¼ »ç¾÷ºÎ Àü¹«ÀÌ»ç ·¹ÀÌ³Ê Äɽº¸¶À̾î(Rainer Kaesmaier)´Â “NXP ¹ÝµµÃ¼¿Í Çù·ÂÇØ º¸´Ù ºü¸£°í ¼Õ½ÇÀÌ ÀûÀº ½ºÀ§ÄªÀ¸·Î Àü±âÂ÷ ¼º´ÉÀ» °³¼±ÇÏ°Ô µÇ¾î ±â»Ú´Ù. NXPÀÇ °ÔÀÌÆ® À¯´Ö°ú È÷Ÿġ ¿¡³ÊÁöÀÇ SiC ·ÎµåÆÑÀ» ±â¹ÝÀ¸·Î ÇÏ´Â °øµ¿ ¼Ö·ç¼ÇÀº ¾÷°è ÃÖ°íÀÇ °æÇè°ú Çõ½ÅÀûÀÎ ±â¼úÀ» ¹ÙÅÁÀ¸·Î Àü±âÂ÷ÀÇ Àå°Å¸® ÁÖÇàÀ» Áö¿øÇÔÀ¸·Î½á Àü ¼¼°è ź¼Ò ¹èÃâ·®À» ÁÙÀÌ°í Áö¼Ó °¡´ÉÇÑ ¿î¼Û ¼ö´Ü¿¡ ¾îµð¼³ª Àü·ÂÀ» °ø±ÞÇÒ °ÍÀÌ´Ù”¶ó°í ¸»Çß´Ù. |