핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아가 오늘 80V 와 100V ASFET (특수목적용 MOSFET) 2종을 발표했다. 이 소자들은 향상된 SOA (Safe Operating Area: 안전 동작 영역)를 제공하므로 전자 퓨즈 및 배터리 보호용 산업용 장비와 5 G 통신 시스템 및 48 V 서버 환경에 필요한 홧스왑 및 소프트 스타트 응용 제품에 적합하다.

ASFET는 특별한 설계에 최적화된 맞춤형 MOSFET 제품이다. 회로 설계에서 덜 중요한 다른 매개 변수를 희생하는 대신 중요한 특정 매개 변수에 초점을 맞추면 새로운 수준의 성능을 얻을 수 있다. 이번에 출시된 새로운 개념의 핫스왑 (컴퓨터를 켠 채로 부품을 추가 혹은 제거하는 것)용 ASFET은 넥스페리아의 최신 실리콘 기술과 구리 클립 패키지 구조의 조합을 사용해 SOA를 크게 강화하고 PCB 공간을 최소화한다.

이전MOSFET들의 경우 고전압에서 열적 불안정성으로 인한 SOA 성능이 급격히 떨어지는 스피리토 영향을 피할 수 없었다. 그러나 넥스페리아의 견고하고 향상된 SOA 기술은 이 스피리토 현상을 제거함으로써 D2PAK 패키지로 제공되던 이전 세대 제품에 비해 SOA를 50V에서 166%나 향상시켰다.

이 제품의 또 다른 중요한 진전은 데이터 시트에 125 °C의 SOA 특성을 포함하는 것이다. 넥스페리아의 수석 제품 마케팅 매니저인 마이크 베커(Mike Becker)는 "SOA는 전통적으로 25° C에서 지정되므로 제품 설계자들이 고온 환경에서의 동작에는 출력을 낮춰야 했었다. 그러나 당사가 이번에 출시한 핫 스왑용 ASFET은 125° C에서의SOA 사양을 포함하므로 시간이 걸리던 추가 작업을 없애 주면서도 고온 환경에서 넥스페리아 기술의 우수한 성능을 확인시켜준다”고 언급했다.

이번에 출시된 2종의 PSMN4R2-80YSE(80 V, 4.2mΩ) 및 PSMN4R8-100YSE(100V, 4.8mΩ) 핫스왑용 ASFET는 Power SO8과 호환되는 LFPAK56E로 패키징 된다. 이 패키지의 독특한 내부 구리 클립 구조는 열 및 전기적 성능을 향상시키는 동시에 시스템 내에서의 차지하는 면적을 크게 감소시킨다.

LFPAK56E 패키지로 제공되는 이 제품들의 크기는 5mm x 6mm x 1.1mm에 불과해서 이전 세대의 D2PAK제품들과 비교해 PCB 공간 및 소자 높이를 각각 80%와 75%로 줄여준다. 이 소자들은 또한 175° C의 최대 접합 온도를 특징으로 하므로 통신 및 산업 응용 프로그램에 대한 IPC9592 규정을 준수한다.

베커 매니저는 또한 "이 제품들의 또 다른 혜택은 여러 개의 핫 스왑용 MOSFET를 병렬로 사용해야 하는 고전력 애플리케이션에서 전류 공유 기능을 개선했다는 것이다. 이로써 고객사들은 제품의 신뢰도를 향상시키며 시스템 비용도 절감하게 된다. 핫스왑용 MOSFET시장의 선두 주자로 널리 인정받는 넥스페리아는 이러한 최신 ASFET 제품을 추가하며 다시 업계의 기술 기준을 올려놓았다"고 설명했다.

이 핫스왑용 ASFET은 대량 주문에 대한 생산 능력을 충분히 보유한 영국 맨체스터 소재 넥스페리아의 새로운 8인치 웨이퍼 생산 라인에서 제작된다. 제품 사양 및 데이터 쉬트 등 상세한 정보는 https://www.nexperia.com/products/mosfets/application-specific-mosfets/asfets-for-hotswap-and-soft-start 를 참고하면 된다.

넥스페리아는 9월 21일부터 23일까지 온라인으로 진행하는 ‘파워 라이브 이벤트’ 세미나 (https://www.nexperia.com/power-live)에서 이 기술을 구현할 예정이다.