ST¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º(STMicroelectronics, ÀÌÇÏ ST)°¡ ÇÁ¶û½º ¿øÀÚ·Âû(CEA) »êÇÏ ÀüÀÚÁ¤º¸±â¼ú¿¬±¸¼Ò ·¹Æ¼(ÀÌÇÏ CEA-Leti)¿Í ÆÄ¿ö ½ºÀ§Äª µð¹ÙÀ̽º¿ë GaN(Gallium Nitride)-on-Silicon ±â¼úÀÇ »ó¿ëȸ¦ À§ÇØ Çù·ÂÇÑ´Ù°í ¹ßÇ¥Çß´Ù. ÀÌ ÆÄ¿ö GaN-on-Si ±â¼úÀ» ÅëÇØ ST´Â ÇÏÀ̺긮µå ¹× Àü±â ÀÚµ¿Â÷¸¦ À§ÇÑ ¿Â-º¸µå ÃæÀü±â, ¹«¼± ÃæÀü, ¼¹ö¸¦ ºñ·ÔÇØ °íÈ¿À², °íÀü·Â ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀ» Áö¿øÇÒ ¼ö ÀÖ°Ô µÈ´Ù.
À̹ø ¾ç»çÀÇ Çù¾÷Àº 200mm ¿þÀÌÆÛ »ó¿¡¼ ÷´Ü GaN-on-Si ´ÙÀÌ¿Àµå¿Í Æ®·£Áö½ºÅÍ ±¸Á¶¸¦ °³¹ßÇÏ°í °ËÁõÇÏ´Â µ¥ ÁßÁ¡À» µÐ´Ù. ½ÃÀåÁ¶»ç¾÷ü IHS ¸¶Å¶(IHS Markit)Àº ÀÌ ½ÃÀåÀÌ 2019³âºÎÅÍ 2024³â±îÁö CAGR(¿¬Æò±Õ ¼ºÀå·ü)ÀÌ 20%¸¦ ³ÑÀ» °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇÏ°í ÀÖ´Ù[1]. ST´Â ·¹Æ¼¿Í ÇÔ²² IRT ³ª³ëÀÏ·ºÀÇ ÇÁ·¹ÀÓ¿öÅ© ³»¿¡¼ ·¹Æ¼ÀÇ 200mm R&D ¶óÀÎÀ» ÀÌ¿ëÇØ °øÁ¤ ±â¼úÀ» °³¹ßÇÏ°í, 2019³â¿¡ ¿£Áö´Ï¾î¸µ »ùÇÃÀ» °ËÁõÇÒ °èȹÀÌ´Ù. ÀÌ¿Í µ¿½Ã¿¡ ST´Â 2020³â ÇÁ¶û½º Åõ¸£(Tours)¿¡ À§Ä¡ÇÑ Àü°øÁ¤ ¿þÀÌÆÛ ÆÕ(Front-End Wafer Fab)¿¡¼ Ãʵµ »ý»êÀ» ÁøÇàÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï GaN/Si ÇìÅ×·Î ¿¡ÇÇÅýÃ(hetero-epitaxy) °øÁ¤À» Æ÷ÇÔÇÑ ¿ÏÀüÇÑ Á¦Á¶¶óÀÎÀ» ±¸ÃàÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù.
¶ÇÇÑ, ÆÄ¿ö ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡¼ GaN-on-Si ±â¼úÀÌ Áö´Ñ ÀáÀç·ÂÀ» °¨¾ÈÇØ ·¹Æ¼¿Í ST´Â °íÀü·Â-¹Ðµµ ÀÇ ÆÄ¿ö ¸ðµâ Á¶¸³½Ã µð¹ÙÀ̽º ÆÐŰ¡À» °³¼±ÇØÁִ ÷´Ü ±â¹ýµéÀ» ¿¬±¸ÇÏ°í ÀÖ´Ù.
ST¿ÀÅä¸ðƼºê ¹× µð½ºÅ©¸®Æ® ±×·ì »çÀåÀÎ ¸¶¸£ÄÚ ¸óƼ(Marco Monti)´Â “ST´Â ±¤Æø ¹êµå°¸(Wide-Bandgap) ¹ÝµµÃ¼°¡ Áö´Ñ ¾öû³ °¡Ä¡¸¦ ÀÎÁöÇϸé¼, ÆÄ¿ö GaN-on-SiÀÇ Á¦Á¶ ¹× ÆÐŰ¡ ±â¼úÀ» À§ÇÑ CEA-·¹Æ¼¿ÍÀÇ À̹ø Çù¾÷À» ÅëÇØ ST°¡ ½Å·ÚÇÒ ¼ö ÀÖ´Â °íÇ°Áú Á¦Ç°À» ¾ç»êÇÒ ¼ö ÀÖ´Â °ËÁõµÈ ¿ª·® ¿Ü¿¡µµ GaN ¹× SiC Á¦Ç° ¹× ¼º´É Ãø¸é¿¡¼ ¾÷°è ÃÖ»óÀÇ Æ÷Æ®Æú¸®¿À¸¦ È®º¸ÇÏ°Ô µÇ¾ú´Ù”¶ó°í ¸»Çß´Ù.
·¹Æ¼ÀÇ CEOÀÎ ¿¥¸¶´©¿¤ »çº¸³ªµð¿¡¸£(Emmanuel Sabonnadiere)´Â “·¹Æ¼ ÆÀÀº ·¹Æ¼ÀÇ 200mm ¹ü¿ë Ç÷§ÆûÀ» ÀÌ¿ëÇØ STÀÇ Àü·«ÀûÀÎ GaN-on-Si Àü·Â-ÀüÀÚ ·Îµå¸ÊÀ» ÀüÆøÀûÀ¸·Î Áö¿øÇÒ °ÍÀ̸ç, ÀÌ ±â¼úÀ» Åõ¸£¿¡ À§Ä¡ÇÑ STÀÇ GaN-on-Si Àü¿ë Á¦Á¶¶óÀÎÀ¸·Î ÀÌÀüÇÒ ¸ðµç Áغñ¸¦ °®Ãè´Ù”¶ó¸ç, “¾ç»ç ÆÀµéÀÌ Âü¿©ÇÑ À̹ø °øµ¿ °³¹ßÀº IRT ³ª³ëÀÏ·ºÀÇ ÇÁ·¹ÀÓ¿öÅ© ÇÁ·Î±×·¥À» È°¿ëÇØ ÇÊ¿äÇÑ Àü¹®¼ºÀ» È®ÀåÇÏ°í ÀåÄ¡ ¹× ½Ã½ºÅÛ ·¹º§¿¡¼ºÎÅÍ Çõ½Åȸ¦ ²ÒÇÑ´Ù”°í ¹àÇû´Ù. |