´º½ºÅÇ
´º½ºµðÁöÅÐ
ST¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º, Â÷¼¼´ë Àü±âÂ÷ Æ®·¢¼Ç ÀιöÅÍ¿¡ ÃÖÀûÈ­µÈ ÃֽŠ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å Àü·Â ±â¼ú ¹ßÇ¥
ÀÌÁع® ±âÀÚ  |  jun@newstap.co.kr
ÆùƮŰ¿ì±â ÆùÆ®ÁÙÀ̱â ÇÁ¸°Æ®Çϱ⠸ÞÀϺ¸³»±â ½Å°íÇϱâ
½ÂÀÎ 2024.10.04  16:41:12
Æ®À§ÅÍ ÆäÀ̽ººÏ ¹ÌÅõµ¥ÀÌ ¿äÁò ³×À̹ö ±¸±Û msn

ST¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º(STMicroelectronics, ÀÌÇÏ ST)°¡ 4¼¼´ë STPOWER SiC(Silicon Carbide) MOSFET ±â¼úÀ» °ø°³ÇÑ´Ù. ÀÌ ÃÖ÷´Ü ±â¼úÀº Àü·Â È¿À², Àü·Â ¹Ðµµ, °ß°í¼º Ãø¸é¿¡¼­ »õ·Î¿î ±âÁØÀ» ¼ö¸³Çϸç, ÀÚµ¿Â÷ ¹× »ê¾÷ ½ÃÀåÀÇ ¿ä±¸¸¦ ¸ðµÎ ÃæÁ·ÇÏ´Â µ¿½Ã¿¡ ƯÈ÷ Àü±âÂ÷ ÆÄ¿öÆ®·¹ÀÎÀÇ ÇÙ½É ±¸¼º¿ä¼ÒÀÎ Æ®·¢¼Ç ÀιöÅÍ¿¡ ÃÖÀûÈ­µÅ ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ ST´Â Çõ½ÅÀ» À§ÇÑ ³ë·ÂÀÇ ÀÏȯÀ¸·Î 2027³â±îÁö ÇÑÃþ ¹ßÀüµÈ SiC Çõ½Å ±â¼úÀ» ¹ßÇ¥ÇÒ °èȹÀ̶ó°í ¹àÇû´Ù.

   
 

STÀÇ ¾Æ³¯·Î±×, Àü·Â ¹× µð½ºÅ©¸®Æ®, MEMS, ¼¾¼­ ±×·ì »çÀåÀÎ ¸¶¸£ÄÚ Ä«½Ã½º(Marco Cassis)´Â “ST´Â ÃÖ÷´Ü ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀÌµå ±â¼úÀ» ÅëÇØ ¹Ì·¡ÀÇ Àü±â ¸ðºô¸®Æ¼¿Í »ê¾÷ È¿À²¼ºÀ» ¼±µµÇÏ´Â µ¥ ÁÖ·ÂÇÏ°í ÀÖ´Ù. ST´Â µð¹ÙÀ̽º¿Í ÷´Ü ÆÐÅ°Áö, Àü·Â ¸ðµâÀ» Çõ½ÅÇϸ鼭 SiC MOSFET ±â¼úÀ» Áö¼ÓÀûÀ¸·Î ¹ßÀü½ÃÅ°°í ÀÖ´Ù”¸ç, “¼öÁ÷ ÅëÇÕ Á¦Á¶ Àü·«°ú ´õºÒ¾î ¾÷°è¸¦ ¼±µµÇÏ´Â SiC ±â¼ú ¼º´É°ú ź·ÂÀûÀÎ °ø±Þ¸ÁÀ» Á¦°øÇϸ鼭, Áõ°¡ÇÏ´Â °í°´ ¼ö¿ä¿¡ ´ëÀÀÇÏ°í º¸´Ù Áö¼Ó °¡´ÉÇÑ ¹Ì·¡¿¡ ±â¿©ÇÏ°í ÀÖ´Ù”°í ¹àÇû´Ù.

SiC Àü·Â MOSFET ½ÃÀåÀ» ¼±µµÇÏ´Â ST´Â ½Ç¸®ÄÜ µð¹ÙÀ̽º ´ëºñ SiCÀÇ Å¹¿ùÇÑ Àü·Â ¹Ðµµ¿Í ³ôÀº È¿À²¼ºÀ» È°¿ëÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï Çõ½ÅÀ» ÇÑÃþ ´õ ÃßÁøÇÏ°í ÀÖ´Ù. ÃֽŠ¼¼´ë SiC µð¹ÙÀ̽º´Â Å©±â ¹× ¿¡³ÊÁö Àý°¨ ÀáÀç·ÂÀ» ´õ¿í ¹ßÀü½ÃÄÑ ¹Ì·¡ÀÇ Àü±âÂ÷ Æ®·¢¼Ç ÀιöÅÍ Ç÷§Æû¿¡ ÀÌÁ¡À» Á¦°øÇϵµ·Ï ¼³°èµÆ´Ù. Àü±âÂ÷ ½ÃÀåÀº °è¼Ó ¼ºÀåÇÏ°í ÀÖÁö¸¸, º¸´Ù ±¤¹üÀ§ÇÑ Ã¤ÅÃÀÌ ÀÌ·ïÁö±â À§ÇÑ ÇØ°á °úÁ¦°¡ ¿©ÀüÈ÷ ³²¾Æ ÀÖÀ¸¸ç, Â÷·® Á¦Á¶»çµéÀº ´õ °æÁ¦ÀûÀÎ Àü±âÂ÷¸¦ Á¦°øÇÏ´Â µ¥ ÁÖ·ÂÇÏ°í ÀÖ´Ù. Àü±âÂ÷ÀÇ SiC ±â¹Ý 800V ¹ö½º ±¸µ¿ ½Ã½ºÅÛÀº ´õ ºü¸¥ ÃæÀü°ú Àü±âÂ÷ Áß·® °¨¼Ò¸¦ ½ÇÇöÇϸ鼭 Â÷·® Á¦Á¶»çµéÀÌ ´õ ±ä ÁÖÇà°Å¸®¸¦ Áö¿øÇÏ´Â ÇÁ¸®¹Ì¾ö ¸ðµ¨ Â÷·®À» »ý»êÇÏ°Ô ÇØÁØ´Ù. 750V ¹× 1200V µî±ÞÀ¸·Î Á¦°øµÉ STÀÇ »õ·Î¿î SiC MOSFET µð¹ÙÀ̽º´Â 400V ¹× 800V ¹ö½º Æ®·¢¼Ç ÀιöÅÍÀÇ ¿¡³ÊÁö È¿À²¼º°ú ¼º´ÉÀ» °³¼±ÇØ SiCÀÇ ÀåÁ¡À» Áß¼ÒÇü Àü±âÂ÷ ¸ðµ¨¿¡µµ Á¦°øÇϸç, ÀÌ´Â ½ÃÀå ´ëÁßÈ­ ´Þ¼º¿¡ ±â¿©ÇÏ´Â ÇÙ½É ºÎ¹®ÀÌ´Ù. Â÷¼¼´ë SiC ±â¼úÀº ž籤 ÀιöÅÍ, ¿¡³ÊÁö ÀúÀå ¼Ö·ç¼Ç, µ¥ÀÌÅͼ¾ÅÍ µî ´Ù¾çÇÑ °íÀü·Â »ê¾÷ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡µµ ¸Å¿ì ÀûÇÕÇϸç, ÀÌó·³ ¼ºÀå ÁßÀÎ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡¼­ ¿¡³ÊÁö È¿À²¼ºÀ» Å©°Ô °³¼±ÇØÁØ´Ù.

ST´Â 4¼¼´ë SiC ±â¼ú Ç÷§Æû ±â¹ÝÀÇ 750V µî±Þ¿¡ ´ëÇÑ Ç°Áú ÀÎÁõÀ» ¿Ï·áÇßÀ¸¸ç, 1200V µî±ÞÀº 2025³â 1ºÐ±â¿¡ Ç°Áú ÀÎÁõÀ» ¿Ï·áÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù. 750V ¹× 1200V Á¤°Ý Àü¾ÐÀÇ µð¹ÙÀ̽º°¡ »ó¿ëÈ­µÇ¸é ¼³°èÀÚµéÀº Ç¥ÁØ AC ¶óÀÎ Àü¾Ð¿¡¼­ °íÀü¾Ð Àü±âÂ÷ ¹èÅ͸® ¹× ÃæÀü±â±îÁö µ¿ÀÛÇÏ´Â ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀ» ó¸®ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.

STÀÇ 4¼¼´ë SiC MOSFETÀº ½Ç¸®ÄÜ ±â¹Ý ¼Ö·ç¼Ç¿¡ ºñÇØ ´õ ³ôÀº È¿À²¼º, ´õ ÀÛÀº ±¸¼º¿ä¼Ò¿Í Áß·® °¨¼Ò ¹× ÁÖÇà°Å¸® È®Àå µîÀÇ ÀÌÁ¡À» Á¦°øÇÑ´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ ÀÌÁ¡µéÀº Àü±âÂ÷ÀÇ ±¤¹üÀ§ÇÑ Ã¤ÅÃÀ» ´Þ¼ºÇÏ´Â µ¥ Áß¿äÇÑ ¿ä¼ÒÀ̸ç, ÁÖ¿ä Àü±âÂ÷ Á¦Á¶»çµéÀº STÀÇ 4¼¼´ë SiC ±â¼úÀ» Â÷·®¿¡ ¼Ò°³ÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ST¿Í Çù¾÷Çϸç, ¼º´É°ú ¿¡³ÊÁö È¿À²¼ºÀ» Çâ»ó½ÃÅ°°í ÀÖ´Ù. STÀÇ 4¼¼´ë SiC MOSFETÀº Àü±âÂ÷ Æ®·¢¼Ç ÀιöÅÍ°¡ ÁÖ¿ä ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀÌÁö¸¸, °íÀü·Â »ê¾÷¿ë ¸ðÅÍ µå¶óÀ̺꿡µµ ÀûÇÕÇÏ¸ç µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Çâ»óµÈ ½ºÀ§Äª ¼º´É°ú °ß°í¼ºÀÇ ÀÌÁ¡À» ´©¸± ¼ö ÀÖ´Ù. À̸¦ ÅëÇØ º¸´Ù È¿À²ÀûÀ̸鼭µµ ¾ÈÁ¤ÀûÀÎ ¸ðÅÍ Á¦¾î·Î »ê¾÷ ȯ°æÀÇ ¿¡³ÊÁö ¼Ò¸ð ¹× ¿î¿µ ºñ¿ëÀ» Àý°¨ÇÏ°Ô µÈ´Ù. 4¼¼´ë SiC MOSFETÀº Àç»ý ¿¡³ÊÁö ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡¼­µµ ž籤 ÀιöÅÍ¿Í ¿¡³ÊÁö ÀúÀå ½Ã½ºÅÛÀÇ È¿À²¼ºÀ» °³¼±ÇÏ¿© º¸´Ù Áö¼Ó °¡´ÉÇÏ°í ºñ¿ë È¿À²ÀûÀÎ ¿¡³ÊÁö ¼Ö·ç¼ÇÀ» ±¸ÃàÇÏ´Â µ¥ ±â¿©ÇÑ´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ SiC MOSFETÀº »ó´çÇÑ Àü·Â ¼ö¿ä¿Í ¿­ °ü¸® ¹®Á¦·Î ³ôÀº È¿À² ¹× ¼ÒÇü Å©±â°¡ ¸Å¿ì Áß¿äÇÑ AI¿ë ¼­¹ö µ¥ÀÌÅͼ¾ÅÍÀÇ Àü¿ø°ø±ÞÀåÄ¡¿¡µµ È°¿ëµÉ ¼ö ÀÖ´Ù.

ST´Â ¼öÁ÷ ÅëÇÕ Á¦Á¶ Àü·«À» ±â¹ÝÀ¸·Î SiC Àü·Â µð¹ÙÀ̽º °³¹ßÀ» °¡¼ÓÈ­ÇÏ°íÀÚ ÇâÈÄ 3³â°£ Àü·Â µð¹ÙÀ̽º ±â¼úÀ» ¹ßÀü½ÃÅ°±â À§ÇØ ¿©·¯ SiC Çõ½Å ±â¼úÀ» º´ÇàÇÏ¿© °³¹ßÇÏ°í ÀÖ´Ù. ST´Â 5¼¼´ë SiC Àü·Â µð¹ÙÀ̽º¿¡ Ç÷¡³Ê(Planar) ±¸Á¶ ±â¹ÝÀÇ Çõ½ÅÀûÀÎ °íÀü·Â ¹Ðµµ ±â¼úÀ» Àû¿ëÇßÀ¸¸ç, ±âÁ¸ SiC ±â¼úº¸´Ù ¿ÂÀúÇ×(RDS(on))À» ´õ¿í °¨¼Ò½ÃÅ°°í, °í¿Â¿¡¼­ ¶Ù¾î³­ RDS(on) °ªÀ» Áö¿øÇϴ ȹ±âÀû Çõ½Å ±â¼úµµ °³¹ß ÁßÀÌ´Ù.

ÀÌ¿Í °ü·ÃÇØ ST´Â SiC ¹× ±âŸ ¿ÍÀÌµå ¹êµå°¸(Wide Bandgap) ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ÃֽŠ¼º°ú¸¦ Ž±¸ÇÏ´Â ¿¬·Ê °úÇÐ ¹× »ê¾÷ ÄÁÆÛ·±½ºÀÎ ICSCRM 2024¿¡ Âü°¡ÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù. 2024³â 9¿ù 29ÀϺÎÅÍ 10¿ù 4ÀϱîÁö ¹Ì±¹ ³ë½ºÄ³·Ñ¶óÀ̳ªÁÖ ·Ñ¸®¿¡¼­ ¿­¸®´Â À̹ø Çà»ç¿¡¼­´Â STÀÇ ±â¼ú ¹ßÇ¥¿Í ÇÔ²² ‘ÃÖ÷´Ü SiC ±â¼úÀ» À§ÇÑ ´ë·® »ê¾÷ ȯ°æ(High volume industrial environment for leading edge technologies in SiC)’¿¡ °üÇÑ »ê¾÷ ºÐ¾ß ±âÁ¶¿¬¼³ÀÌ ÁøÇàµÈ´Ù.

ÀÌÁع® ±âÀÚÀÇ ´Ù¸¥±â»ç º¸±â  
ÆùƮŰ¿ì±â ÆùÆ®ÁÙÀ̱â ÇÁ¸°Æ®Çϱ⠸ÞÀϺ¸³»±â ½Å°íÇϱâ
Æ®À§ÅÍ ÆäÀ̽ººÏ ¹ÌÅõµ¥ÀÌ ¿äÁò ³×À̹ö ±¸±Û msn µÚ·Î°¡±â À§·Î°¡±â
°¡Àå ¸¹ÀÌ º» ±â»ç
1
GTA ¿Â¶óÀÎ, ÇÒ·ÎÀ© À̺¥Æ® ´ë°ø°³: ¿Ü°èÀκÎÅÍ Á»ºñ ¼­¹ÙÀ̹ú±îÁö ´Ù¾çÇÑ º¸³Ê½º Á¦°ø
2
V2·Î ´õ °­ÇØÁø '°¶·°½Ã GALAX ÁöÆ÷½º RTX 4070 Ti SUPER EX GAMER V2'
3
¾È·¦, À§Çù ÀÎÅÚ¸®Àü½º Ç÷§Æû ¡®¾È·¦ TIP¡¯¿¡ ÅÚ·¹±×·¥ ¹× ·£¼¶¿þ¾î Ưȭ ¸ð´ÏÅ͸µ ±â´É Ãß°¡ÇØ º¸¾È À§ÇùÁ¤º¸ °íµµÈ­
4
³»¼Å³ÎÁö¿À±×·¡ÇÈ ¾îÆз², ¶óÀÌÁîÀÇ ¡®Çã±× ´Ù¿î¡¯ Ä÷º¼Ç TVC °ø°³
5
µö¿¤, ¿£ºñµð¾Æ GB200 DGX ½´ÆÛÆÌ µµÀÔ¡¦À¯·´ ù ±¸Ãà »ç·Ê
6
°Ü¿ï ½ÃÁð ¸ÂÀÌ ¾Æ¿ôµµ¾î ¾÷°èÀÇ Æ˾÷ ½ºÅä¾î ¿­Ç³
7
ÇÏÀ̼¾½º, FIFA Ŭ·´ ¿ùµåÄÅ 2025 °ø½ÄÆÄÆ®³Ê ÁöÁ¤
8
Ç÷¹ÀκñÆ®, ¡®ÄÚ¸®¾Æ µðÁöÅÐ Æ÷·»½Ä ¼­¹Ô 2024¡¯ °³ÃÖ
9
¸ÞÀÌºí¸° ´º¿å, ¡®½´ÆÛ½ºÅ×ÀÌ ¹ÙÀÌ´Ò À×Å© ÇÖÄ¥¸® ¿¡µð¼Ç¡¯ Ãâ½Ã
10
±¸´Þ(goodal), NEW ¸ÕÀÛ±Í ÄÝ¶óº¸ ¿¡µð¼Ç Ãâ½Ã... ¼öºÐÃæÀüºÎÅÍ ¿µ¾çÄɾî±îÁö Ã¥ÀÓÁö´Â ȨÄɾî ÇʼöÅÛ
½Å¹®»ç¼Ò°³¤ý±â»çÁ¦º¸¤ý±¤°í¹®ÀǤýºÒÆí½Å°í¤ý°³ÀÎÁ¤º¸Ãë±Þ¹æħ¤ýû¼Ò³âº¸È£Á¤Ã¥¤ýÀ̸ÞÀϹ«´Ü¼öÁý°ÅºÎ
¼­¿ïƯº°½Ã ¿µµîÆ÷±¸ ¿µ½Å·Î34±æ 10 ¿µ³²ºôµù 5Ãþ 504È£  |  ´ëÇ¥ÀüÈ­ : 070-7527-0410
µî·Ï¹øÈ£ : ¼­¿ïƯº°½Ã ÀÚ00408  |  µî·Ï³â¿ùÀÏ : 2013³â 4¿ù 15ÀÏ
¹ßÇàÀÎ : (ÁÖ)À̳뿥¾Ø¿¥ ÀÌÁع®  |  ÆíÁýÀÎ : ÀÌÁع®  |  Ã»¼Ò³âº¸È£Ã¥ÀÓÀÚ : ÀÌÁع®
Copyright © 2013 ´º½ºÅÇ. All rights reserved. mail to news@newstap.co.kr