Àü·Â¹ÝµµÃ¼ Àü¹®±â¾÷ ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì(ÁÖ)°¡ À§ÃàµÈ ±ÝÀ¶½ÃÀå ºÐÀ§±â¿¡µµ ºÒ±¸ÇÏ°í, ±¹³» ÅõÀÚ±â°üÀÎ °ÔÀÓüÀÎÀúÀκ£½ºÆ®¸ÕÆ®, ºô¶û½ºÀκ£½ºÆ®¸ÕÆ®, ¾È´Ù¾Æ½Ã¾Æº¥Ã³½º·Î ºÎÅÍ ½Ã¸®ÁîB ÅõÀÚ¸¦ À¯Ä¡Çß´Ù°í ¹àÇû´Ù.
ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì´Â Ãֱ٠ź¼ÒÁ߸³À» À§ÇÑ ¿¡³ÊÁöÀüȯ°ú Àü±âÀÚµ¿Â÷ ÀüȯÀ¸·Î ÀÎÇØ Æø¹ßÀûÀ¸·Î ¼ºÀåÇÏ´Â Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå¿¡ Àû±ØÀûÀ¸·Î ´ëÀÀÇϱâ À§ÇØ À¯Ä¡ÇÑ ÅõÀÚ±ÝÀ» Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¿¬±¸°³¹ß°ú »ý»ê´É·ÂÀ» ´ëÆø Áõ°¡½ÃÅ°±â À§ÇÑ ½Ã¼³ Áõ¼³¿¡ È°¿ëÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù.
½Ç¸®ÄÜ(Si)°ú ½Ç¸®ÄÜÄ«¹ÙÀ̵å(SiC) Àü·Â¹ÝµµÃ¼ Àü¹®±â¾÷ÀÎ ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì´Â 2017³âºÎÅÍ ´ë¿ë·® Si Super Junction MOSFET Á¦Ç°À» °³¹ßÇÏ¿© 2021³â ¼¹ö¿ë ÆÄ¿ö¿Í Â÷·® ³»Àå¿ë ¿Ï¼ÓÃæÀü±â(On Board Charger, OBC)ÀÇ Á¦Ç° ¶óÀξ÷À» ¿Ï¼ºÇÏ¿´À¸¸ç, Àû±ØÀûÀÎ ÇØ¿Ü ÇÁ·Î¸ð¼ÇÀ» ÅëÇØ ÇØ¿Ü Àü±âÂ÷ ±â¾÷¿¡ ´ç»ç °³¹ß Á¦Ç°À» ¼öÃâÇÏ°í ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ ´ëÇü ±¹Ã¥°úÁ¦¸¦ ÅëÇØ 1,700V SiC Trench MOSFETÀ» °³¹ßÇÏ¸é¼ SiC MOSFET Á¦Ç° ¶óÀξ÷µµ È®ÃæÇÏ´Â ÇÑÆí, ÀÚµ¿Â÷Ç⠽ŷڼº ÀÎÁõÀ» ÁغñÇÏ¿© 2023³âºÎÅÍ Àû±ØÀûÀ¸·Î Â÷·®¿ë ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå¿¡ ´ëÀÀÇÒ °èȹÀÌ´Ù.
¶ÇÇÑ ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì´Â À̹ø¿¡ À¯Ä¡ÇÑ ÅõÀÚ±ÝÀ» ÅëÇØ 2024³â¿¡ ¿Ï°ø °èȹÀΠõ¾È »ê¾÷´ÜÁö ³» ºÎÁö¿¡ »ý»ê½Ã¼³À» ÁغñÇÏ¿© ¼±ÁøÈµÈ »ý»ê°ú Ç°Áú°ü¸®·Î Â÷·®¿ë ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå¿¡ Àû±Ø ´ëÀÀÇÒ ¹æħÀÌ´Ù. À̸¦ ÅëÇØ »óÀåÀ» ÁغñÇÏ¿© 2026³â¿¡ ¸ÅÃâ¾× 1,000¾ï¿ø ´Þ¼ºÀ» ¸ñÇ¥·Î ÇÏ°í ÀÖ´Ù.
ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì °Å¿µ ´ëÇ¥´Â "Â÷·®¿ë Àü·Â¹ÝµµÃ¼´Â ÀϹÝÀûÀÎ Àü·Â¹ÝµµÃ¼º¸´Ù ´õ¿í ±î´Ù·Î¿î Ç°Áú°ü¸®¿Í »ý»ê°ü¸®¸¦ ¿ä±¸¹Þ±â¿¡, ÀÚüÀûÀÎ ½Å·Ú¼º, Ç°Áú °ü¸® ´É·ÂÀÌ Àý½ÇÇÏ´Ù"¸é¼ "õ¾È°øÀåÀÌ ¿Ï°øµÇ¸é ÀÌ¿Í °ü·ÃÇÑ »ý»ê°ü¸®¿Í Ç°Áú°ü¸®°¡ °¡´ÉÇÏ°Ô µÈ´Ù. À̷νá ȸ»ç´Â ¹ÝµµÃ¼ ¼³°è·Î °®Ãá Á¦Ç° ¼º´É »Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó °í°´ÀÌ ¾È½ÉÇÒ ¼ö ÀÖ´Â Ç°Áú °ü¸®·ÂÀ» ¹ÙÅÁÀ¸·Î ÇØ¿Ü ±â¾÷°ú °ßÁÖ´Â °æÀï·ÂÀ» °¡Áö°í ¸î´Ü°è ¼ºÀåÇÒ ¼ö ÀÖ°Ô µÉ °Í"À̶ó°í ¼³¸íÇß´Ù. |