ST¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º(STMicroelectronics, ÀÌÇÏ ST)°¡ ¿ÂÀúÇ× ¹× ½ºÀ§Äª ¼Õ½ÇÀ» ¸ðµÎ ÁÙÀÌ°í ¹Ùµð ´ÙÀÌ¿Àµå ¼Ó¼ºÀ» ÃÖÀûÈÇÑ 40V MOSFET STL320N4LF8 ¹× STL325N4LF8AG¸¦ Ãâ½ÃÇß´Ù. ÀÌ Á¦Ç°Àº Àü·Âº¯È¯, ¸ðÅÍÁ¦¾î, Àü·ÂºÐ¹è ȸ·Î¿¡¼ ¿¡³ÊÁö¸¦ Àý°¨ÇÏ°í ³·Àº ³ëÀÌÁî ¼º´ÉÀ» º¸ÀåÇØÁØ´Ù.
»õ·Î¿î 40V N-ä³Î ÀÎÇÚ½º¸ÕÆ®-¸ðµå(Enhancement-Mode) MOSFETÀº ÃֽŠ¼¼´ë STPOWER STripFET F8 »êȹ° ÃæÀü Æ®·»Ä¡(Oxide-Filled Trench) ±â¼úÀ» È°¿ëÇØ ¶Ù¾î³ ¼º´ÉÁö¼ö¸¦ ´Þ¼ºÇß´Ù. STL320N4LF8 ¹× STL325N4LF8AG´Â 10VÀÇ °ÔÀÌÆ®-¼Ò½º Àü¾Ð(VGS)¿¡¼ °¢°¢ 0.8mOhm ¹× 0.75mOhmÀÇ ÃÖ´ë ¿ÂÀúÇ×(Rds(on))À» Á¦°øÇÑ´Ù. ÀÌ MOSFETÀº ´ÙÀÌ ¿µ¿ª´ç ¸Å¿ì È¿À²ÀûÀÎ Rds(on)À» ÅëÇØ °ø°£ Àý°¨ÀÌ °¡´ÉÇÏ°í ¿È¿À²ÀÌ ¶Ù¾î³ PowerFLAT 5x6 ÆÐÅ°Áö·Î ±¸ÇöµÆ´Ù.
STÀÇ Ã·´Ü STripFET F8 ±â¼úÀº °ÔÀÌÆ®-µå·¹ÀÎ(Gate-Drain) ÀüÇÏ µîÀÇ µ¿Àû ÆĶó¹ÌÅ͸¦ ÃÖ¼ÒÈÇÏ´Â ³·Àº µð¹ÙÀ̽º Ä¿ÆнÃÅϽº·Î Ź¿ùÇÑ ½ºÀ§Äª ¼Óµµ¸¦ º¸ÀåÇÏ¸é¼ ½Ã½ºÅÛ È¿À²¼ºÀ» ³ô¿©ÁØ´Ù. ¼³°èÀÚ´Â 600kHz ~ 1MHz ¹üÀ§¿¡¼ ½ºÀ§Äª ÁÖÆļö¸¦ ¼±ÅÃÇÒ ¼ö Àֱ⠶§¹®¿¡ ´õ ÀÛÀº Ä¿ÆнÃÅϽº ¹× Àڱ⠺ÎÇ°À» »ç¿ëÇØ È¸·Î Å©±â¸¦ ÁÙÀÌ°í, ºÎÇ°¿ø°¡(BoM)¸¦ Àý°¨ÇÏ´Â °ÍÀº ¹°·Ð, ÃÖÁ¾ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀÇ Àü·Â¹Ðµµ¸¦ ³ôÀÏ ¼ö ÀÖ´Ù.
ÀûÀýÇÑ Ãâ·Â Ä¿ÆнÃÅϽº¿Í ÀÌ¿¡ ÇØ´çÇÏ´Â µî°¡ Á÷·Ä ÀúÇ×À» ÅëÇؼ´Â µå·¹ÀÎ-¼Ò½º(Drain-Source) Àü¾ÐÀÇ ½ºÆÄÀÌÅ©¸¦ ¹æÁöÇÏ°í, ÅÏ¿ÀÇÁ ½Ã ´ýÇøµ Áøµ¿(Dumpling Oscillation) ½Ã°£À» ´ÜÃàÇÑ´Ù. ÀÌ¿Í ÇÔ²² STL320N4LF8 ¹× STL325N4LF8AG´Â ¹Ùµð ´ÙÀÌ¿ÀµåÀÇ ¼ÒÇÁÆ® º¹±¸ Ư¼ºÀ» ÅëÇØ ½ÃÀåÀÇ ´Ù¸¥ À¯»ç µð¹ÙÀ̽ºº¸´Ù ±ØÈ÷ ³·Àº EMI(Electromagnetic Interference)¸¦ ¹æÃâÇÑ´Ù. ¶ÇÇÑ, ÀÌ ´ÙÀÌ¿Àµå´Â ³·Àº ¿ªÈ¸º¹ ÀüÇϸ¦ °®Ãç ÇÏµå ½ºÀ§Äª ÅäÆú·ÎÁö¿¡¼ ¿¡³ÊÁö ¼Õ½ÇÀ» ÃÖ¼ÒÈÇØÁØ´Ù.
STL320N4LF8 ¹× STL325N4LF8AG´Â °ÔÀÌÆ® ÀÓ°èÀü¾Ð(VGS(th))À» ¾ö°ÝÇÏ°Ô Á¦¾îÇØ µð¹ÙÀ̽º °£¿¡ È®»ê ÆøÀ» Á¼Èú ¼ö ÀÖ¾î, Áõ°¡ÇÏ´Â Àü·ù¸¦ ó¸®Çϱâ À§ÇØ ¿©·¯ MOSFETÀ» º´·Ä·Î ¿ëÀÌÇÏ°Ô ¿¬°áÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ÃÖ´ë 1,000A(10µs ¹Ì¸¸ÀÇ ÆÞ½º)±îÁö °ßµô ¼ö Àִ Ź¿ùÇÑ ´Ü¶ôȸ·Î °ß°í¼ºµµ º¸ÀåÇÑ´Ù.
STL320N4LF8 ¹× STL325N4LF8AG´Â ÄÄÇ»ÆÃ, Åë½Å, Á¶¸í, ÀÏ¹Ý Àü·Âº¯È¯ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǰú ¹èÅ͸® ±¸µ¿ Á¦Ç°¿¡ ¸Å¿ì ÀûÇÕÇϸç, ÃÖÃÊÀÇ »ê¾÷¿ë ÀÎÁõ ¹× AEC-Q101 ÀÎÁõÀ» ȹµæÇÑ STPOWER STripFET F8 MOSFET µð¹ÙÀ̽ºÀÌ´Ù.
STL320N4LF8 ¹× STL325N4LF8AG´Â ÇöÀç ´ë·® »ý»ê ÁßÀ̸ç, °¡°ÝÀº 1,000°³ ±¸¸Å ½Ã °¢°¢ 1.29´Þ·¯ ¹× 1.40´Þ·¯ÀÌ´Ù. |