ST¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º(STMicroelectronics, ÀÌÇÏ ST)°¡ Àý¿¬ °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö STGAP Á¦Ç°±º¿¡ »õ·Î¿î STGAP2SiCS¸¦ Ãß°¡Çß´Ù°í ¹àÇû´Ù. ÀÌ µå¶óÀ̹ö´Â ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(SiC: Silicon Carbide) MOSFETÀ» ¾ÈÀüÇÏ°Ô Á¦¾îÇϵµ·Ï ÃÖÀûÈµÈ Á¦Ç°À¸·Î ÃÖ´ë 1,200VÀÇ °íÀü¾Ð ·¹ÀÏ¿¡¼ µ¿ÀÛÇÑ´Ù.
STGAP2SiCS´Â ÃÖ´ë 26VÀÇ °ÔÀÌÆ® ±¸µ¿ Àü¾ÐÀ» »ý¼ºÇÒ ¼ö ÀÖ¾î, 15.5VÀÇ ³ôÀº UVLO(Under-Voltage Lockout) ÀÓ°è°ªÀ» Á¦°øÇÔÀ¸·Î½á SiC MOSFETÀÇ ÅÏ¿Â ¿ä°ÇÀ» ÃæÁ·ÇÑ´Ù. ³·Àº °ø±Þ Àü¾Ð ¶§¹®¿¡ ±¸µ¿ Àü¾ÐÀÌ ³Ê¹« ³·À¸¸é, UVLO´Â MOSFETÀ» ÅÏ¿ÀÇÁÇØ °úµµÇÑ ¼Õ½ÇÀ» ¹æÁöÇÑ´Ù. ÀÌ µå¶óÀ̹ö´Â µà¾ó ÀÔ·Â ÇÉÀ» °®Ãç ¼³°èÀÚ°¡ °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̺êÀÇ ½ÅÈ£ ±Ø¼ºÀ» °áÁ¤ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
STGAP2SiCS´Â ÀÔ·Â ¿µ¿ª°ú °ÔÀÌÆ® ±¸µ¿ Ãâ·Â »çÀÌ¿¡ 6kVÀÇ °¥¹Ù´Ð Àý¿¬À» Á¦°øÇϹǷΠÄÁ½´¸Ó ¹× »ê¾÷¿ë ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀÇ ¾ÈÀüÀ» º¸ÀåÇÏ°Ô ÇØÁØ´Ù. 4AÀÇ Ãâ·Â ½ÌÅ©/¼Ò½º ±â´ÉÀº °í±Þ °¡ÀüÁ¦Ç°, »ê¾÷¿ë µå¶óÀ̹ö, ÆÒ, Àδö¼Ç È÷ÅÍ, ¿ëÁ¢±â, UPS¿Í °°Àº ÀåºñÀÇ ÁßÀü·Â ¹× °íÀü·Â ÄÁ¹öÅÍ¿Í Àü¿ø°ø±ÞÀåÄ¡ ¹× ÀιöÅÍ¿¡ ÀûÇÕÇÏ´Ù.
ÀÌ Á¦Ç°Àº µÎ °¡ÁöÀÇ Ãâ·Â ±¸¼ºÀ¸·Î Á¦°øµÈ´Ù. ù ¹ø° ±¸¼ºÀº Àü¿ë °ÔÀÌÆ® ÀúÇ×À» »ç¿ëÇØ ÅÏ¿Â ¹× ÅÏ¿ÀÇÁ ½Ã°£À» µ¶¸³ÀûÀ¸·Î ÃÖÀûÈÇÒ ¼ö ÀÖ´Â º°µµÀÇ Ãâ·ÂÇÉÀÌ ÀÖ´Ù. µÎ ¹ø° ±¸¼ºÀº °íÁÖÆļö ÇÏµå ½ºÀ§ÄªÀ» Áö¿øÇϴµ¥, SiC MOSFETÀÇ °ÔÀÌÆ® ¼Ò½º Àü¾ÐÀÇ ¹ßÁøÀ» Á¦ÇÑÇÏ´Â ¾×Ƽºê ¹Ð·¯ Ŭ·¥ÇÁ(Miller Clamp)¿Í ´ÜÀÏ Ãâ·Â ÇÉÀ» °®Ãç ¿øÄ¡ ¾Ê´Â ÅÏ¿ÂÀ» ¹æÁöÇÏ°í ½Å·Ú¼ºÀ» Çâ»ó½ÃÄÑ ÁØ´Ù. ÀԷ ȸ·Î´Â 3.3V±îÁö CMOS/TTL ·ÎÁ÷°ú ȣȯµÇ±â ¶§¹®¿¡ ´Ù¾çÇÑ Á¦¾î IC¿Í ½±°Ô ÀÎÅÍÆäÀ̽ºÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
STGAP2SiCS´Â ½Ã½ºÅÛÀÇ Àü·Â¼Ò¸ð¸¦ ÁÙ¿©ÁÖ´Â ´ë±â ¸ðµå´Â ¹°·Ð, Çϵå¿þ¾î ÀÎÅÍ·ÎÅ©(Hardware Interlock) µî ÅëÇÕ º¸È£ ±â´ÉÀ» °®Ãß°í ÀÖ¾î ÀúÀü¾Ð ¿µ¿ª°ú °íÀü¾Ð ±¸µ¿ ä³Î ¸ðµÎ¿¡¼ ±³Â÷Àüµµ ¹× ¿ ¼Ë´Ù¿îÀ» ¹æÁöÇÑ´Ù. ¶ÇÇÑ, ÀúÀü¾Ð ¹× °íÀü¾Ð ¿µ¿ª »çÀÌÀÇ ÀüÆÄ Áö¿¬À» ¸ÅĪÇØ »çÀÌŬ ¿Ö°îÀ» ¹æÁöÇÏ°í ¿¡³ÊÁö ¼Õ½ÇÀ» ÃÖ¼ÒÈÇÑ´Ù. ÃÑ Áö¿¬Àº 75ns ¹Ì¸¸À¸·Î, ³ôÀº ½ºÀ§Äª ÁÖÆļö±îÁö Á¤È®ÇÑ PWM(Pulse-Width Modulation) Á¦¾î°¡ °¡´ÉÇÏ´Ù.
STGAP2SiCS´Â ¼ÒÇü DzÇÁ¸°Æ® ³»¿¡¼ 8mmÀÇ ¿¬¸é°Å¸®¸¦ º¸ÀåÇÏ´Â ¿ÍÀ̵å-¹Ùµð SO-8W ÆÐÅ°Áö·Î ÇϿ졵Ǿî ÀÖÀ¸¸ç, °¡°ÝÀº 1,000°³ ±¸¸Å ½Ã 2´Þ·¯ÀÌ´Ù. |