¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ(Nasdaq: ON)°¡ 2021³â ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(SiC) ½ÃÀå Àü¸ÁÀ» °ø°³Çß´Ù.
WBG ±â¼úÀÌ ±âÁ¸ÀÇ Àü·Â ÀüÀÚ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀº ¹°·Ð »õ·Ó°Ô µîÀåÇÏ´Â ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡±îÁö ³Î¸® Àû¿ëµÇ¸é¼, ¹ÝµµÃ¼ ¾÷ü´Â Àü·Ê¾ø´Â ¼Óµµ·Î ½ÅÁ¦Ç°À» °³¹ßÇØ ³»°í ÀÖ´Ù. ÀϺΠ±â¾÷Àº ÀÌ¹Ì ¿©·¯ ¼¼´ëÀÇ ±â¼úÀ» ¹ßÇ¥Çϱ⵵ Çß´Ù. ±× Áß¿¡¼µµ ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ´Â ÀÔÁõµÈ ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(SiC) MOSFET µð¹ÙÀ̽º ¼º´É°ú ¾÷°è ÃÖ°í ¼öÁØÀÇ °í°´ Áö¿øÀ» ÅëÇØ ÇØ´ç ºÐ¾ß¿¡¼ ¼±µµÀûÀÎ ÀÔÁö¸¦ À¯ÁöÇÏ°í ÀÖ´Ù. ÃÖ±Ù ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ´Â 650V SiC MOSFET¸¦ Ãâ½ÃÇϸç ÀÚ»çÀÇ WBG µð¹ÙÀ̽º Á¦Ç°±ºÀ» È®´ëÇßÀ¸¸ç, À̸¦ ÅëÇØ ÀÌÀü¿¡´Â ¼ºñ½º°¡ ºÎÁ·Çß´ø Àü·Â´ë¿ª¿¡¼ º¸´Ù Çâ»óµÈ È¿À²¼ºÀ» Á¦°øÇÏ°í ÀÖ´Ù.
´ÙÀ½Àº ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍÀÇ Á¦Ç° ¶óÀÎ ´ã´ç ¸Å´ÏÀúÀÎ ºê·£µç º£Ä¿(Brandon Becker)¿ÍÀÇ 2021³â ½ÃÀå Àü¸Á¿¡ ´ëÇÑ ÀϹ®ÀÏ´äÀÌ´Ù.
Q: SiC¿Í ÁúÈ°¥·ý(GaN) µîÀÇ WBG ¹ÝµµÃ¼°¡ ÁÖ·ù·Î ¶°¿À¸£¸é¼ Àü±âÂ÷(EV), 5G ±âÁö±¹°ú °°Àº °í¼ºÀå ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç ºÐ¾ß¿ÍÀÇ ¿¬°è°¡ ÀÌ·ç¾îÁö°í ÀÖ´Ù. ±×·¯³ª, ¿©ÀüÈ÷ ±âÁ¸ÀÇ ½Ç¸®ÄÜ ±â¹Ý MOSFET°¡ ºñ¿ë¿ìÀ§¸¦ Á¡ÇÏ¸ç ´ëºÎºÐÀÇ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡ Àû¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. ¿ÃÇØ Á¦ 3¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀç °³¹ß Æ®·»µå¸¦ ¾î¶»°Ô Àü¸ÁÇϴ°¡?
A: SiC¿Í GaNÀº ±âÁ¸ ½Ç¸®ÄÜ ±â¹Ý µð¹ÙÀ̽ºº¸´Ù ´õ¿í ³ôÀº È¿À²¼º°ú Àü·Â ¹Ðµµ¸¦ ¿ä±¸ÇÏ´Â ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç ºÐ¾ß¿¡ °è¼ÓÇؼ È®´ë Àû¿ëµÉ °ÍÀ¸·Î º¸ÀδÙ. ºñ¿ë Ãø¸é¿¡¼ º¸¸é, Àüü ½Ã½ºÅÛ ºñ¿ëÀ» ÁÙÀÌ´Â Â÷¿ø¿¡¼ WBG µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Ã¤ÅÃÀÌ È®»êµÉ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÈ´Ù. ¿¹¸¦ µé¾î, ³Ã°¢ ½Ã½ºÅÛÀ» Á¦°ÅÇϰųª ¼öµ¿(passive) µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Å©±â¿Í ºñ¿ëÀ» ÁÙÀÓÀ¸·Î½á ½Ã½ºÅÛ ºñ¿ëÀ» °¨¼Ò½Ãų ¼ö ÀÖ´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ ½Ã½ºÅÛ ºñ¿ë °£¼ÒÈ´Â WBG µð¹ÙÀ̽º¿¡ »ç¿ëµÇ´Â ºñ±³Àû ³ôÀº ½ºÀ§Äª ÁÖÆļö ´öºÐ¿¡ °¡´ÉÇÏ´Ù. ´Ü±âÀûÀ¸·Î º¼¶§´Â ±â¼úÀÇ Á¶ÇÕ¿¡ ±â¹ÝÇÑ ¼Ö·ç¼ÇµéÀÌ µîÀåÇÒ °ÍÀÌ´Ù. ÀÏ·Ê·Î, ÀιöÅÍÀÇ °æ¿ì ±âÁ¸ ½Ç¸®ÄÜ IGBT¸¦ SiC ´ÙÀÌ¿Àµå¿Í °áÇÕÇØ ½Ã½ºÅÛ ºñ¿ëÀº ÁÙÀÌ¸é¼ È¿À²¼º°ú ½Å·Ú¼ºÀº Çâ»ó½Ãų ¼ö ÀÖ´Ù.
Q: 5G ½Ã´ë°¡ µµ·¡ÇÏ¸é¼ SiC MOSFET¿Í °ü·ÃÇÑ »õ·Î¿î ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀ¸·Î ¾î¶² °ÍµéÀÌ µîÀåÇÒ °ÍÀ¸·Î º¸´Â°¡? ÇØ´ç ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç ¿µ¿ª¿¡¼ SiC MOSFETÀÇ Àû¿ë »ç·Ê°¡ Å©°Ô Áõ°¡ÇÏ°í Àִ°¡?
A: 5G´Â 4G LTE ´ëºñ 20¹è ºü¸¥ ¼Óµµ¸¦ Á¦°øÇÑ´Ù. ±×·¯³ª ºü¸¥ ¼ÓµµÀÇ ±¸Çö¿¡´Â ´õ¿í ¸¹Àº Àü·ÂÀ» ó¸®ÇÏ°í, Çϵå¿þ¾î°¡ °ú¿µÇÁö ¾Êµµ·Ï ¿È¿À²ÀÌ ¿ì¼öÇϸç, Àü·Â È¿À²¿¡ ÃÖÀûÈµÈ µð¹ÙÀ̽º°¡ ÇÊ¿äÇÏ´Ù. SiC MOSFETÀº ÀÌ·¯ÇÑ ¼º´É»óÀÇ ¸ñÇ¥¸¦ ´Þ¼ºÇÒ ¼ö Àִµ¥, ÀÌ´Â SiC°¡ ±î´Ù·Î¿î ȯ°æ¿¡¼ »ç¿ëÇϱ⿡ ¸Å¿ì ÀûÇÕÇϱ⠶§¹®ÀÌ´Ù. ¶ÇÇÑ SiC´Â ÀÌ·¯ÇÑ ÀåÁ¡À» ÅëÇØ Å¬¶ó¿ìµå ¹× ÀΰøÁö´É(AI) ¼ºñ½º Á¦°ø¿¡ ÀÖ¾î Áß¿äÇÑ ¿ªÇÒÀ» ÇÏ°Ô µÉ °ÍÀÌ´Ù. ÇöÀç ÇØ´ç ºÐ¾ßÀÇ ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç ¼ö¿ä´Â Å©°Ô Áõ°¡ÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, ³ôÀº Àü·Â ¹Ðµµ¿¡ ´ëÇÑ ¿ä±¸´Â ¼³°è ¿£Áö´Ï¾îµéÀÇ ÁÖ¿ä °ü½É»ç·Î ¶°¿À¸£°í ÀÖ´Ù.
Q: ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍÀÇ °æÀï·ÂÀº ¹«¾ùÀ̸ç, ÇØ´ç °æÀï·ÂÀº ¿ÃÇØ Ãâ½ÃµÇ´Â Á¦Ç°±º¿¡ ¾î¶»°Ô ¹Ý¿µÀÌ µÇ´Â°¡?
A: ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ´Â ³»ºÎ °ø±Þ¸Á, Á¦Á¶ Àü¹®¼º, ÇÕ¸®ÀûÀÎ °¡°Ý¿¡ Á¦°øµÇ´Â ÀÔÁõµÈ SiC MOSFET µð¹ÙÀ̽º ¼º´É, ¿ì¼öÇÑ Æò°¡¸¦ ¹Þ°í ÀÖ´Â °í°´ Áö¿ø µî ´Ù¾çÇÑ °æÀï ¿ìÀ§¸¦ È®º¸ÇÏ°í ÀÖ´Ù. ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ´Â Àü ¼¼°è Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ ¾÷°è 2À§¸¦ Â÷ÁöÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, °í°´µé°ú ±ä¹ÐÇÑ °ü°è¸¦ À¯ÁöÇÏ¸é¼ ±×µéÀÇ ½Ã½ºÅÛ ¼³°è¿¡ Áß¿äÇÑ ¿ªÇÒÀ» ÇÏ°í ÀÖ´Ù. ÇöÀç±îÁö ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ´Â 900V ¹× 1200V SiC MOSFET Á¦Ç°±ºÀ» È®ÀåÇØ ¿Ô´Ù. 2021³â¿¡´Â 650V SiC MOSFET ±â¼úÀ» ¹ßÇ¥ÇßÀ¸¸ç, À̸¦ ±¸ÇöÇÏ°íÀÚ Ãʱ⠿£Áö´Ï¾î¸µ ´Ü°è¿¡¼ °í°´µé°ú ÇÔ²² ÀÛ¾÷ÇÏ°í ÀÖ´Ù. ÇØ´ç ±â¼úÀÌ Á¤½Ä Ãâ½ÃµÇ¸é °í°´ÀÌ ¿ä±¸Çϴ ªÀº ¸®µåŸÀÓÀ» Á¦°øÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï »ý»ê ´É·ÂÀ» ÃÖ´ëÈÇϴµ¥ ÁýÁßÇÒ °èȹÀÌ´Ù. ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ´Â ¶ÇÇÑ ¿ÀÅä¸ðƼºê Æ®·¢¼Ç ÀιöÅÍ, ¿Âº¸µå ÃæÀü, Àü±âÂ÷ ÃæÀü, ž籤 ¹ßÀü(photovoltaic), ž籤 ÀιöÅÍ, ¼¹ö Àü¿ø°ø±ÞÀåÄ¡(PSU), Åë½Å ¹× ¹«Á¤Àü Àü¿ø°ø±ÞÀåÄ¡¸¦ Æ÷ÇÔÇÑ ´Ù¾çÇÑ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡ °ÉÃÄ °í°´°ú Áö¼ÓÀûÀ¸·Î Çù·ÂÇÏ°í ÀÖ´Ù. ÀÌ ¿Ü¿¡µµ Àü¹® ¿Àµð¿À, Àü¹® Á¶¸í, ÀÇ·á, Àü·Â Åø, ¾îÇöóÀ̾ð½º, º¸Á¶ ¸ðÅÍ ºÐ¾ß µî¿¡¼µµ WBG ±â¼ú¿¡ ´ëÇÑ ¼ö¿ä°¡ Áõ°¡ÇÏ°í ÀÖ´Ù.
Q: ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍÀÇ Á¦Ç°±ºÀÌ Àü±âÂ÷¿¡ Àû¿ëµÈ »ç·Ê°¡ Àִ°¡? ÇöÀç ÀÚµ¿Â÷ Á¦Á¶¾÷üµé°úÀÇ Çù·ÂÀº ¾î¶»°Ô ÁøÇàµÇ°í Àִ°¡?
A: ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ´Â ÀÚµ¿Â÷ ±â¾÷°úµµ ±ä¹ÐÈ÷ Çù·ÂÇÏ°í ÀÖ´Ù. ÇöÀç SiC MOSTFET°ú SiC ´ÙÀÌ¿Àµå°¡ Àü±âÂ÷¿¡ Àû¿ëÇÏ°í ÀÖ´Ù. ƯÈ÷, Àü¼¼°è ÀÚµ¿Â÷ ¾÷°èÀÇ OEMµé°ú ´Ù¾çÇÑ Çù·Â ÇÁ·ÎÁ§Æ®¸¦ ÁøÇàÁß¿¡ ÀÖÀ¸¸ç, ÁøÇà »óȲÀº Á¦Ç°, ÀÚ°Ý, Æò°¡ ¹× °³¹ß À¯Çü¿¡ µû¶ó ´Ù¸£´Ù. ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ´Â ¶ÇÇÑ ´Ù¾çÇÑ Àü±âÂ÷ ·¹ÆÛ·±½º µðÀÚÀÎÀ» °í°´¿¡°Ô Á¦°øÇÏ°í ÀÖ´Ù.
Q: »õ·Î¿î 650V SiC MOSFETÀÇ °æÀï·Â¿¡ ´ëÇÑ ±Ù°Å´Â ¹«¾ùÀΰ¡?
A: SiC MOSFETÀº 650V ³»¾Ð¿¡¼ ¾÷°è ÃÖ°íÀÇ Rsp(Rdson x ³ÐÀÌ)¸¦ ±¸ÇöÇÒ ¼ö Àִ ÷´Ü ¹ÚÇü ¿þÀÌÆÛ ±â¼úÀ» È°¿ëÇÑ »õ·Î¿î È°¼º ¼¿ ¼³°è¹ýÀ» äÅÃÇß´Ù. D2PAK7L ¹× To247 ÆÐÅ°Áö·Î Á¦°øµÇ´Â NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1, NTH4L015N065SC1Àº ½ÃÀå¿¡¼ °¡Àå ³·Àº 12¹Ð¸®¿È(mOhm)ÀÇ ¿ÂÀúÇ×À» º¸¿©ÁØ´Ù. ¶ÇÇÑ ÀÌ ±â¼úÀº ¿¡³ÊÁö ¼Õ½Ç ¼öÄ¡ Áö¼ö¿¡ ´ëÇÏ¿© ÃÖÀûȵǾî ÀÚµ¿Â÷ ¹× »ê¾÷¿ë ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡¼ ÃÖÀûÈµÈ ¼º´ÉÀ» Á¦°øÇÑ´Ù. ³»ºÎ °ÔÀÌÆ® ÀúÇ×(Rg)À» ÀÌ¿ëÇÏ¸é ¼³°èÀÚ°¡ ¿ÜºÎ °ÔÀÌÆ® ÀúÇ×À» Ãß°¡ÇÏ¿© ÀÎÀ§ÀûÀ¸·Î µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ¼Óµµ¸¦ ´õ ³·Ãâ ÇÊ¿ä°¡ ¾ø¾îÁö¹Ç·Î ´õ ³ôÀº ¼³°è À¯¿¬¼ºÀ» Á¦°øÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ, ³ôÀº ¼Áö ¹× ¾Æ¹ß¶õÄ¡¸¦ °ßµð¸ç, ¼îÆ® ¼Å¶ °ß°í¼ºÀ» Á¦°øÇϹǷΠ³»±¸¼ºÀÌ °ÈµÇ°í ½Å·Ú¼ºÀÌ Áõ°¡ÇÏ¿© µð¹ÙÀ̽º ¼ö¸íÀ» ³ôÀÏ ¼ö ÀÖ´Ù.
Q: ½Ç¸®ÄÜ(Si), SiC ¹× GaNÀÇ ÇâÈÄ ¹æÇ⼺À» ¾î¶»°Ô Àü¸ÁÇϴ°¡? À̵éÀÌ ¿¬ÀÌ¾î ´ëüµÉ °ÍÀ¸·Î º¸´Â°¡?
A: SiC¿Í GaN µîÀÇ WBG µð¹ÙÀ̽º´Â ¹Ì·¡ÀÇ Àü·Â ÀüÀÚ ÀåÄ¡ÀÇ Çʼö¿ä¼Ò¶ó ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ ±â¼úµéÀº Àç·áÀÇ ¹°¸®Àû Ư¼ºÀ¸·Î ÀÎÇØ ÀÌÀü¿¡´Â ¸¸µé¾î ³¾ ¼ö ¾ø¾ú´ø µð¹ÙÀ̽º¸¦ ź»ý½ÃÅ°°í ÀÖ´Ù. SiC MOSFET´Â Áö³ 50³â¿¡ °ÉÃÄ ¿Ï¼ºµÆÀ¸¸ç, ÇöÀçµµ ²ÙÁØÈ÷ °³¼±µÇ°í ÀÖ´Ù. ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ°¡ ÃßÁøÇÏ°í ÀÖ´Â ¹æÇâÀº ƯÁ¤ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡ ¸Â°Ô ±â¼úÀ» ¸ÂÃãÈÇÏ´Â °ÍÀÌ´Ù. ÀÌ¿Í ´õºÒ¾î, °í°´ÀÌ °¡´ÉÇÏ´Ù°í »ý°¢ÇÏ´Â ÇѰ踦 ¶Ù¾î³Ñ¾î ÃÖ÷´Ü µð¹ÙÀ̽º¸¦ Áö¼ÓÀûÀ¸·Î Çõ½Å½ÃÄÑ °í°´ÀÌ ¿øÇÏ´Â ¹Ù¸¦ ÀÌ·ï³»µµ·Ï µ½°íÀÚ ÇÑ´Ù.
Q: ÇâÈÄ 2~3³â°£ SiC¿Í GaN¿Í °ü·ÃÇØ °¡Àå À¯¸ÁÇÑ ½ÃÀåÀº ¾îµð°¡ µÉ °ÍÀ¸·Î º¸´Â°¡?
A: ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ´Â »ê¾÷¿ë Àü·Â ¹× ¿¡³ÊÁö »ý¼º ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç ºÐ¾ß¿¡¼ SiC ½ÃÀåÁ¡À¯À²À» ²ÙÁØÈ÷ È®´ëÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÇ¸ç, ƯÈ÷ ÀÚµ¿Â÷ Æ®·¢¼Ç ÀιöÅÍ ºÐ¾ß¿¡¼ ±Þ¼ÓÇÑ ¼ºÀå¼¼¸¦ º¸ÀÏ°ÍÀ¸·Î ±â´ëµÈ´Ù. GaNÀº Àü·Â ¹Ðµµ¸¦ ¼³°è »ó ¿ì¼±¼øÀ§·Î µÎ°í ÀÖ´Â ¼ÒºñÀÚ Àü¿ø °ø±ÞÀåÄ¡¿Í °°Àº ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡ ´ë´ëÀûÀ¸·Î äÅÃµÉ °ÍÀ¸·Î º¸ÀδÙ. º¸´Ù ±î´Ù·Î¿î ´Ù¸¥ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡µµ Àû¿ëÀÌ °¡´ÉÇÏÁö¸¸, ÇâÈÄ ¾à 3³â°£Àº ÇØ´ç ºÐ¾ß¿Í µ¿ÀÏÇÑ ¼öÁØÀÇ Ã¤Å÷üÀ» º¸ÀÌÁö´Â ¾ÊÀ»°ÍÀÌ´Ù.
Q: SiC MOSFET °³¹ß°ú °ü·ÃÇÑ ¾÷°èÀÇ µµÀü°úÁ¦´Â ¹«¾ùÀ̸ç, À̸¦ ÇØ°áÇϱâ À§ÇÑ ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍÀÇ Àü·«Àº ¹«¾ùÀΰ¡?
A: ÇöÀç °¡Àå Å« µµÀü°úÁ¦´Â SiC ±âÆÇ °³¹ß·Î, ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅ͸¦ ºñ·ÔÇÑ ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶¾÷üµéÀÌ À̸¦ ÇØ°áÇϱâ À§ÇØ ¸¹Àº ³ë·ÂÀ» ±â¿ïÀÌ°í ÀÖ´Ù. SiC ±âÆÇÀº ±âÁ¸ÀÇ ½Ç¸®ÄÜ º¸¿ï(boule)°ú ¸Å¿ì ´Ù¸£´Ù. »ç¿ëµÈ ÀåºñºÎÅÍ ÇÁ·Î¼¼½º, ó¸® ¹æ¹ý, Àý´Ü ¹æ¹ý µî¿¡ À̸£´Â »ý»ê°ú °ü·ÃµÈ ¸ðµç °ÍÀÌ SiC¸¦ À§ÇØ Æ¯º° °³¹ßµÆ´Ù. ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ´Â °áÇÔ ¹Ðµµ¸¦ ³·Ãß±â À§ÇØ ¸¹Àº ¿¬±¸°³¹ßÀ» ÁøÇàÇßÀ¸¸ç, ÀÌ´Â ºñ¿ë±¸Á¶ °³¼±À» °¡´ÉÄÉ Çß´Ù. ´öºÐ¿¡ °í°´µé »çÀÌ¿¡¼ SiC MOSFET äÅÃÀÌ °¡¼Óȵǰí ÀÖ´Ù. ¶Ç ´Ù¸¥ ¾î·Á¿òÀ¸·Î´Â ¿¡ÇÇÅÃ½Ã¾ó ¼ºÀå(epitaxial growth), ÆÕ(fab) ó¸® ¹× ÆÐŰ¡ÀÌ ÀÖÁö¸¸, ºñ´Ü ¿©±â¿¡¸¸ ±¹ÇѵÇÁö ¾Ê´Â´Ù. °¢ °³º° °ø±Þ¸Á ´Ü°è¿¡´Â ¸ÅÀÏ°°ÀÌ ÇØ°áÀÌ ÇÊ¿äÇÑ °íÀ¯ÀÇ ¿£Áö´Ï¾î¸µ µµÀü°úÁ¦°¡ µû¸¥´Ù.
Q: Äڷγª19 ÆÒµ¥¹ÍÀº SiCÀÇ ¿øÀÚÀç °ø±Þ°ú Á¦Á¶¾÷üµéÀÌ SiC MOSFET¸¦ ¼³°è, Á¦Á¶ ¹× °ø±ÞÇϴµ¥ ¾î¶°ÇÑ ¿µÇâÀ» ¹ÌÃƴ°¡?
A: Äڷγª19 »óȲ¿¡¼ ¸ðµç ¿øÀÚÀç °ø±ÞÀº ¸é¹ÐÈ÷ ¸ð´ÏÅ͸µµÇ°í ÀÖ´Ù. ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ´Â ´Ù¼öÀÇ °ËÁõµÈ °ø±Þó¸¦ µÎ°í Àֱ⠶§¹®¿¡ °ø±ÞÀÇ ¿¬¼Ó¼º°ú ½Å¼ÓÇÑ ´ëÀÀÀ» º¸ÀåÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. »Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó, ´ç»çÀÇ ³»·¿ÜºÎ ¿©·¯ °÷¿¡¼ Á¦Ç°À» ÀÎÁõÇÏ´Â Àü¹®°¡ ÆÀÀ» ¿î¿µÇØ ¾î¶°ÇÑ ÁöÁ¡¿¡¼µµ SiC Á¦Á¶°¡ ÁߴܵǴ ÀÏÀÌ ¾øµµ·Ï ¸¸ÀüÀ» ±âÇÏ°í ÀÖ´Ù. |